ZHCABO8A February 2022 – March 2023 LM5157 , LM5157-Q1 , LM51571-Q1 , LM5158 , LM5158-Q1 , LM51581 , LM51581-Q1
輸出電容器需要使負(fù)載電壓紋波平穩(wěn)，并在負(fù)載瞬態(tài)期間提供能量源，以及在 MOSFET 導(dǎo)通期間為負(fù)載提供能量。確定輸出電容大小的一種實(shí)用方法是基于所需的負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格。負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格與控制環(huán)路交叉頻率有關(guān)。對于此估計(jì)，預(yù)計(jì)控制環(huán)路交叉頻率設(shè)置為 RHPZ 頻率的 1/5，這是使用方程式 15 計(jì)算的。
對于此設(shè)計(jì)示例，負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格表明 VLOAD1 上的負(fù)載電壓在從 50% 負(fù)載電流 (125mA) 到 100% 負(fù)載電流 (250mA) 的負(fù)載瞬態(tài)期間不應(yīng)過沖或下沖超過 100mV。方程式 16 用于計(jì)算估計(jì)的負(fù)載電容，以實(shí)現(xiàn)指定的負(fù)載瞬態(tài)負(fù)載電壓紋波要求。
其中
在本設(shè)計(jì)中，CLOAD1 選為 120μF。