TLV1H103-SEP
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VID V62/22606-01XE
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輻射 - 總電離劑量 (TID)
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TID 特征值為 30krad (Si)
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在高達(dá) 30krad (Si) 的條件下無 ELDRS
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RHA/RLAT 高達(dá) 30krad (Si)
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輻射 - 單粒子效應(yīng) (SEE)
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SEL 對于 LET 的抗擾度 = 43MeV·cm2/mg
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SET 對于 LET 的抗擾度 = 43MeV·cm2/mg
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增強(qiáng)型航天塑料
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受控基線
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一個封測廠
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一個制造廠
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延長的產(chǎn)品生命周期
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產(chǎn)品可追溯性
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- 低傳播延遲:2.5ns
- 低過驅(qū)動分散:700ps
- 高切換頻率:325MHz
- 窄脈寬檢測功能:1.5ns
- 輸入共模范圍超出兩個電源軌 200mV
- 電源電壓范圍:2.4V 至 5.5V
- 可調(diào)遲滯控制
- 輸出鎖存功能
TLV1H103-SEP 是一款 325MHz 高速比較器,具有軌到軌輸入和 2.5ns 的傳播延遲。這款比較器可快速響應(yīng),并具有寬工作電壓范圍,非常適合雷達(dá)成像和通信有效載荷系統(tǒng)中的窄信號脈沖檢測和數(shù)據(jù)與時鐘恢復(fù)應(yīng)用。
與替代高速差分輸出比較器相比,TLV1H103-SEP 的推挽(單端)輸出可以簡化 I/O 接口的板對板布線并節(jié)省相關(guān)成本,同時能夠降低功耗。此外,TLV1H103-SEP 還具有可調(diào)遲滯控制和輸出鎖存功能等特性。該比較器可以直接連接下游電路中的大多數(shù)現(xiàn)行數(shù)字控制器和 IO 擴(kuò)展器。
TLV1H103-SEP 采用高速互補(bǔ) BiCMOS 工藝,并提供 6 引腳 SOT-23 封裝。
技術(shù)文檔
類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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* | 數(shù)據(jù)表 | TLV1H103-SEP 具有 2.5ns 傳播延遲的抗輻射高速比較器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 7月 8日 |
* | VID | TLV1H103-SEP VID V62/22606 | 2024年 12月 16日 | |||
* | 輻射與可靠性報告 | TLV1H103-SEP Radiation Tolerant High-Speed Comparator TID Report (Rev. B) | 2024年 8月 14日 | |||
* | 輻射與可靠性報告 | TLV1H103-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2024年 8月 12日 | ||
* | 輻射與可靠性報告 | TLV1H103-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report | 2024年 4月 29日 | |||
* | 輻射與可靠性報告 | TLV1H103-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | PDF | HTML | 2024年 4月 26日 | ||
證書 | HS-COMPARATOR-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2024年 4月 8日 |
設(shè)計和開發(fā)
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