TLV342S
- 1.8V 和 5V 性能
- 低失調(diào)電壓(A 級)
- 最大值 1.25mV (25°C)
- 最大值 1.7mV(–40°C 至 125°C)
- 軌到軌輸出擺幅
- 寬共模輸入電壓范圍:–0.2V 至 (V+ - 0.5V)
- 輸入偏置電流:1pA(典型值)
- 輸入失調(diào)電壓:0.3mV(典型值)
- 低電源電流:70μA/通道
- 低關(guān)斷電流:每通道 10pA(典型值)
- 增益帶寬:2.3MHz(典型值)
- 壓擺率:0.9V/μs(典型值)
- 關(guān)斷后的導(dǎo)通時(shí)間:5μs(典型值)
- 輸入?yún)⒖茧妷涸肼暎?0kHz 時(shí)): 20nV/√ Hz
- ESD 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求:
- 2000V 人體放電模式 (HBM)
- 750V 充電器件模型 (CDM)
TLV34xx 器件分別為單和雙 CMOS 運(yùn)算放大器,具有低電壓、低功耗和軌到軌輸出擺幅功能。PMOS 輸入級提供 1pA(典型值)的超低輸入偏置電流和 0.3mV(典型值)的 失調(diào)電壓。對于需要出色直流精度的應(yīng)用,A 級 (TLV34xA) 在 25°C 時(shí)具有 1.25mV(最大值)的低失調(diào)電壓。
這些單電源放大器專為超低電壓(1.5V 至 5V)工作而設(shè)計(jì),其共模輸入電壓范圍通常介于與正電源軌的 –0.2V 至 0.5V。
采用 RUG 封裝的 TLV341(單)和 TLV342(雙)還提供了一個(gè)關(guān)斷 (SHDN) 引腳,可用于禁用器件。在關(guān)斷模式下,電源電流降至 45pA(典型值)。TLV341 采用 SOT-23 和更小的 SC70 封裝,非常適合大多數(shù)空間受限的應(yīng)用。雙 TLV342 采用標(biāo)準(zhǔn)的 SOIC、VSSOP 和 X2QFN 封裝。
TLV34xx 具有從 –40°C 到 125°C 的擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍,因此能夠靈活用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。
技術(shù)文檔
類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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用戶指南 | SMALL-AMP-DIP 評估模塊 (EVM) (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | 2021年 8月 23日 | ||
電子書 | The Signal e-book: 有關(guān)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)主題的博客文章匯編 | 英語版 | 2018年 1月 31日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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