主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 半橋驅(qū)動(dòng)器

TPS7H6003-SP

正在供貨

耐輻射、QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm2 16.74 x 28
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對(duì)于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達(dá) 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 兩個(gè)獨(dú)立輸入
  • 在獨(dú)立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護(hù)
  • 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間
  • 獨(dú)立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對(duì)于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達(dá) 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 兩個(gè)獨(dú)立輸入
  • 在獨(dú)立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護(hù)
  • 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間
  • 獨(dú)立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級(jí)）、TPS7H6013-SP（60V 等級(jí)）和 TPS7H6023-SP（22V 等級(jí)）。這些驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動(dòng)電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器都具有分離柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入來(lái)控制。在 PWM 模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨(dú)立輸入模式下作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出同時(shí)導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級(jí)）、TPS7H6013-SP（60V 等級(jí)）和 TPS7H6023-SP（22V 等級(jí)）。這些驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保驅(qū)動(dòng)電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器都具有分離柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入來(lái)控制。在 PWM 模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可以調(diào)節(jié)每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨(dú)立輸入模式下作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出同時(shí)導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，從而可以在多種不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用該驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 23
類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPS7H60x3-SP 耐輻射保障 1.3A、2.5A、 半橋 GaN FET 柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 4月 27日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024年 8月 13日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TPS7H6003-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024年 6月 17日
* SMD TPS7H6003-SP SMD 5962-22201 2023年 12月 21日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TPS7H6003-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 2023年 11月 30日
應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) 經(jīng) DLA 批準(zhǔn)的 QML 產(chǎn)品優(yōu)化 (Rev. C) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 8月 18日
技術(shù)文章 不要採(cǎi)用艱難的方式進(jìn)行切換；以 PWM 全橋?qū)崿F(xiàn) ZVS PDF | HTML 2025年 8月 13日
技術(shù)文章 以簡(jiǎn)便方式實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)變；通過(guò) PWM 全橋?qū)崿F(xiàn) ZVS PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2025年 8月 13日
技術(shù)文章 ??? ???? ????? ?? PWM ? ???? ???? ZVS? ?????? PDF | HTML 2025年 8月 13日
應(yīng)用手冊(cè) 重離子軌道環(huán)境單粒子效應(yīng)估算 (Rev. B) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 7月 7日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
技術(shù)文章 如何為具有電子電源系統(tǒng)的下一代衛(wèi)星最佳化 SWaP (Rev. A) PDF | HTML 2025年 3月 20日
技術(shù)文章 ?? ????? ??? ??? SWaP? ????? ?? (Rev. A) PDF | HTML 2025年 3月 20日
技術(shù)文章 如何借助電力系統(tǒng)優(yōu)化下一代衛(wèi)星的 SWaP (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 3月 19日
更多文獻(xiàn)資料 TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. B) 2025年 2月 20日
設(shè)計(jì)指南 耐輻射航天電池管理系統(tǒng) (BMS) 參考設(shè)計(jì) PDF | HTML 英語(yǔ)版 2025年 1月 6日
EVM 用戶指南 TPS7H60x3EVM-CVAL 和 TPS7H60x5EVM 評(píng)估模塊 (Rev. B) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 7月 24日
應(yīng)用手冊(cè) QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023年 8月 30日
證書 TPS7H6003EVM-CVAL EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 29日
應(yīng)用手冊(cè) 單粒子效應(yīng)置信區(qū)間計(jì)算 (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 12月 2日
應(yīng)用手冊(cè) DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020年 8月 21日
應(yīng)用手冊(cè) Hermetic Package Reflow Profiles, Termination Finishes, and Lead Trim and Form PDF | HTML 2020年 5月 18日
電子書 電子產(chǎn)品輻射手冊(cè) (Rev. A) 2019年 5月 21日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

如需其他信息或資源，請(qǐng)點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁(yè)面查看（如有）。

評(píng)估板

TPS7H6003EVM-CVAL — TPS7H6003 200V、1.5A 和 3A、GaN FET 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊

TPS7H6003 評(píng)估模塊可接受高達(dá) 150V 的輸入電壓，還可通過(guò)驅(qū)動(dòng) EPC2307 器件來(lái)測(cè)試 TPS7H6003-SP 的可靠性。默認(rèn)情況下，該評(píng)估模塊設(shè)置為在 PWM 模式下與 TPS7H6003-SP 器件一起運(yùn)行。該模式接受一個(gè)開關(guān)信號(hào)的輸入，并在內(nèi)部生成互補(bǔ)信號(hào)。

用戶指南: PDF | HTML
英語(yǔ)版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上無(wú)現(xiàn)貨
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù)，您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發(fā)送申請(qǐng)
參考設(shè)計(jì)

PMP23200 — 適用于 100kRad 應(yīng)用的 100W、5V 輸出硬開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)使用 TPS7H5001-SP 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器和三個(gè) TPS7H6003-SP 半橋驅(qū)動(dòng)器來(lái)控制硬開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器接受 22V 至 36V 的輸入，并生成能夠承受 100W 負(fù)載的隔離式 5V 輸出。選用的控制器、驅(qū)動(dòng)器和功率 FET 均符合對(duì)地靜止軌道 (GEO) 級(jí)輻射性能要求。與傳統(tǒng)二極管整流器相比，次級(jí)側(cè)的同步整流器可提高效率和熱性能。
測(cè)試報(bào)告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購(gòu) TI 產(chǎn)品有疑問(wèn)，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

視頻