UCC27518
- 低成本柵極驅(qū)動(dòng)器，是 NPN 和 PNP 分立解決方案的優(yōu)質(zhì)替代產(chǎn)品
- 與 TI 的 TPS2828 和 TPS2829 器件引腳兼容
- 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)
- 快速傳播延遲（典型值 17ns）
- 快速上升和下降時(shí)間（典型值 8ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間輸出保持低電平（確保加電和斷電時(shí)無(wú)毛刺脈沖運(yùn)行）
- CMOS 輸入邏輯閾值（帶滯后的電源電壓的函數(shù)）
- 實(shí)現(xiàn)高抗噪性的滯后邏輯閾值
- 實(shí)現(xiàn)使能功能的 EN 引腳（可不連接）
- 當(dāng)輸入引腳懸空時(shí)輸出保持在低電平
- 輸入引腳絕對(duì)最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- -40°C 至 140°C 的運(yùn)行溫度范圍
- 5 引腳 DBV 封裝（小外形尺寸晶體管封裝 (SOT)-23）
應(yīng)用
- 開(kāi)關(guān)模式電源
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 用于數(shù)字電源控制器的伴隨柵極驅(qū)動(dòng)器器件
- 太陽(yáng)能、電機(jī)控制、不間斷電源 (UPS)
- 用于新上市的寬帶隙電源器件（例如 GaN）的柵極驅(qū)動(dòng)器
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UCC27518 和 UCC27519 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可有效驅(qū)動(dòng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開(kāi)關(guān)。 UCC27518 和 UCC27519 采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力以及超短的傳播延遲（典型值為 17ns）。
當(dāng) VDD = 12V 時(shí)，UCC27518 和 UCC27519 可提供峰值為 4A 的灌/拉（對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)）電流驅(qū)動(dòng)能力。
UCC27518 和 UCC27519 具有 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍，以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 當(dāng)超出 VDD 工作范圍時(shí)，VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路可使輸出保持低電平。 該器件不僅能夠工作在低于 5V 的低電壓下，還具備同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的開(kāi)關(guān)特性，因此非常適用于驅(qū)動(dòng)諸如 GaN 功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開(kāi)關(guān)器件。
UCC27518 和 UCC27519 的輸入引腳閾值基于 CMOS 邏輯電路，其中閾值電壓是 VDD 電源電壓的函數(shù)。 輸入閾值上限典型值 (VIN-H) 是 VDD的 55%，而輸入閾值下限典型值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 閾值上下限之間的寬滯后（通常為 VDD的 16%）提供了出色的抗噪性，并且使用戶(hù)能夠通過(guò)在輸入脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)與器件的 INx 引腳之間使用 RC 電路來(lái)引入延遲。
UCC27518 和 UCC27519 的 EN 引腳上還特有一個(gè)可懸空的使能功能。 將 EN 引腳置于未連接狀態(tài)，可分別實(shí)現(xiàn) UCC27518，UCC27519 與 TPS2828，TPS2829 之間的引腳兼容性。 EN 引腳的電壓閾值是固定的，不會(huì)隨 VDD 引腳偏置電壓變化。 使能閾值上限典型值 (VEN-H) 為 2.1V，而使能閾值下限典型值 (VEN-L) 為 1.25V。
技術(shù)文檔
| 類(lèi)型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | UCC2751x 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器（基于 CMOS 輸入閾值并具有峰值為 4A 的拉/灌電流驅(qū)動(dòng)能力） 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2015年 3月 13日 |
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 適用于柵極驅(qū)動(dòng)器的外部柵極電阻器設(shè)計(jì)指南 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 | 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 |
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