UCC27519A-Q1
- 符合汽車應(yīng)用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列結(jié)果:
- 符合器件汽車 1 級
- 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 H2
- 器件充電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6
- 低成本柵極驅(qū)動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質(zhì)替代產(chǎn)品
- 與 TI 的 TPS2828 和 TPS2928 引腳兼容
- 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅(qū)動
- 快速傳播延遲(典型值 17ns)
- 快速上升和下降時間(典型值 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 單一電源范圍
- 在 VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間,輸出保持低電平(以保證加電和斷電時的無毛刺脈沖運行)
- CMOS 輸入邏輯閥值(帶有滯后功能的電源電壓)
- 用于高抗噪性的滯后邏輯閥值
- 針對使能功能的使能 (EN) 引腳(可不連接)
- 當輸入引腳懸空時輸出保持在低電平
- 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- -40°C 至 140°C 的運行溫度范圍
- 5 引腳 DBV 封裝(小外形尺寸晶體管封裝 (SOT)-23)
應(yīng)用范圍
- 車載應(yīng)用
- 開關(guān)模式電源
- 直流到直流轉(zhuǎn)換器
- 用于數(shù)字電源控制器的伴隨柵極驅(qū)動器器件
- 太陽能、電機控制、不間斷電源 (UPS)
- 用于新上市的寬帶隙電源器件(例如 GaN)的柵極驅(qū)動器
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件有效地驅(qū)動金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 開關(guān)。 借助于固有的大大減少擊穿電流的設(shè)計,UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 能夠灌、拉高峰值電流脈沖進入到電容負載,此電容負載提供了軌到軌驅(qū)動能力以及極小傳播延遲(典型值為 17ns)。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 VDD = 12V 時提供 4A 拉電流和 4A 灌電流(對稱驅(qū)動)峰值驅(qū)動電流功能。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍以及 -40°C 到 140°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行。 VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路保持 VDD 運行范圍之外的輸出低電平。 能夠運行在諸如低于 5V 的低電壓電平上,連同同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性,使得此器件非常適合于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。 UCC27519A-Q1 可按需提供(只用于預(yù)覽)。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 的輸入引腳閥值基于 CMOS 邏輯電路,此邏輯電路的閥值電壓是 VDD 電源電壓的函數(shù)。 通常情況下,輸入高閥值 (VIN-H) 是 VDD 的 55%,而輸入低閥值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 高閥值和低閥值之間的寬滯后(通常為 VDD 的 16%)提供了出色的抗擾性并使用戶能夠通過在輸入脈寬調(diào)制 (PWM) 信號和器件的 INx 引腳間使用 RC 電路來引入延遲。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 EN 引腳上還特有一個可懸空使能功能。 EN 引腳可以保持在一個不連接的狀態(tài),這樣可以分別實現(xiàn) UCC27518A-Q1,UCC27519A-Q1 和 TPS2828,TPS2829 器件間的引腳兼容性。 使能引腳閥值是一個固定電壓閥值并且不會隨著 VDD偏置電壓的改變而變化。 通常情況下,使能高閥值 (VEN-H) 為 2.1V,而使能低閥值 (VEN-L) 是 1.25V。
技術(shù)文檔
類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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* | 數(shù)據(jù)表 | 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器(帶有4A 峰值拉電流和4A 峰值灌電流的基于CMOS 的輸入閥值) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | 最新英語版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2013年 9月 25日 | |
功能安全信息 | UCC27517A-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA | PDF | HTML | 2021年 6月 16日 | |||
應(yīng)用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
應(yīng)用簡報 | 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
應(yīng)用簡報 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
更多文獻資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文獻資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
應(yīng)用簡報 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 |
設(shè)計和開發(fā)
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封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
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SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
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