我們的靜電放電 (ESD)、瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 和齊納二極管產品系列包含多種封裝和電壓選項。

優(yōu)勢：

• <0.5pF ESD 二極管能夠保護速度高達 30GHz 的數(shù)據線路，從而確保正常運行期間的信號完整性。
• 平緩鉗位 TVS 技術提供了一種用于耗散浪涌瞬變的可靠解決方案，具有精確、平穩(wěn)、不受溫度影響的鉗位電壓，可更大限度地減小施加到受保護系統(tǒng)的殘余電壓。
• 該產品系列中的汽車級器件可滿足對需要高達 30kV 保護電壓的系統(tǒng)的嚴格標準。

我們的薄膜硅鉻電阻器網絡采用交錯技術來實現(xiàn)較高的元件間匹配，并具有抗老化和溫度應力的能力。

優(yōu)勢：

• 薄膜 SiCr 以小巧的外形實現(xiàn)高度交錯，同時提供比厚膜解決方案更低的閃爍噪聲。
• 片上交錯可以有效地使多個電阻器占據晶圓上的同一位置，從而確保晶圓上薄膜電阻材料的任何變化都會對所有電阻器產生同等影響。
• 匹配的電阻器可實現(xiàn)極低的比例溫度系數(shù)，典型漂移為 0.2ppm/°C 或更低。

與集成放大器相比，分立式結型場效應晶體管 (JFET) 可以實現(xiàn)低得多的噪聲和相對較低的功耗，因此非常適合電感式傳感器，這些傳感器可能需要具有低電壓和低電流噪聲的放大器。

優(yōu)勢：

• 具有與雙極結型晶體管類似的極低水平寬帶電壓噪聲，但具有極低電流噪聲的額外優(yōu)勢。
• 單通道靈活性和雙通道匹配選項。
• 一對以單片方式裝配在同一芯片上的 JFET 的匹配效果比單個晶體管要好得多，從而可以防止高增益電路中引入直流失調電壓。

線性硅基熱敏電阻可在整個溫度范圍內保持高靈敏度，從而提高性能和可靠性。

優(yōu)勢：

• 無需線性化電路或基于硬件的電阻器-電容器濾波器。
• 與負溫度系數(shù) (NTC) 熱敏電阻相比，可執(zhí)行更快、更準確的軟件轉換，同時降低存儲器要求。
• 無需多點校準，即可實現(xiàn)比 NTC 熱敏電阻高多達 50% 的精度。
• 由于熱質量較低，在較高溫度下可實現(xiàn)幾乎 300% 的響應速度和更高的靈敏度。
• 產品系列包括 TI 功能安全型器件和時基故障率/故障模式分布文檔。
• 低自發(fā)熱可更大限度地減少長期傳感器溫漂。

體聲波 (BAW) 諧振器在現(xiàn)有石英和微電子機械諧振器技術的基礎上進行了許多改進。我們的產品系列包括具有 1MHz 至 400MHz 頻率、業(yè)界通用封裝、低功耗和寬電源電壓范圍的振蕩器。

優(yōu)勢：

• 基于 BAW 的晶體振蕩器提供出色的可靠性（針對振動和沖擊、故障間隔平均時間 (MTBF)、溫度穩(wěn)定性、老化和環(huán)境因素等）。
• 實現(xiàn)了小于 100fs 的均方根抖動。
• 使用 BAW 振蕩器替代石英振蕩器無需任何設計或印刷電路板布局布線更改。