多相解決方案：處理器內核電源
設計具有快速瞬態(tài)響應、較大功率密度和較高效率的多相簡化直流/直流電源
適用于處理器內核的智能、高效電源轉換
利用我們在 CPU 內核多相解決方案方面的專業(yè)知識和業(yè)界先進地位，我們創(chuàng)建了專為 AI 驅動型高計算需求而定制的高密度、高能效內核電源解決方案。將我們的智能監(jiān)控功率級或模塊與超快速瞬態(tài)控制器配對使用，可實現(xiàn)簡化的直流/直流電源。借助我們多樣化的功率器件和多相控制器產(chǎn)品系列，我們可為您在企業(yè)服務器、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡和通信中使用的 CPU、GPU、SoC 或定制 ASIC 和 FPGA 的電源設計提供支持。
為何選擇我們的多相內核電源解決方案？
高效率和高功率密度
場效應晶體管和封裝創(chuàng)新（包括熱增強型倒裝芯片 HotRod? 封裝中的集成驅動器）可實現(xiàn)高效率和高功率密度，且峰值電流高達 90A。
精確遙測和高級功能
我們的多相解決方案在低至 2°C 的溫度范圍內具有 3% 的精度，具有增強的跨電感穩(wěn)壓器 (TLVR) 和電流共享功能，從而在高功率應用中實現(xiàn)可堆疊性。
靈活性、可擴展性和快速瞬態(tài)響應
我們的多相控制器采用 D-CAP+? 控制環(huán)路設計，可對上升和下降瞬態(tài)進行更快的響應，并通過可擴展的相位和環(huán)路數(shù)提供設計靈活性。
專為可靠性而構建
高級故障報告以及過流、過壓和過熱保護可提高可靠性。加速壽命測試鑒定可確?？沙掷m(xù)性。
設計高性能、可靠且高效的多相內核電源解決方案
提高非對稱電路板設計的非線性控制和靈活性
我們的 D-CAP+? 控制架構可實現(xiàn)快速負載瞬態(tài)響應，從而提高電源設計的效率。
優(yōu)勢：
- 恒定導通時間可適應輸入和輸出電壓。?
- 快速、準確的響應可實現(xiàn)動態(tài)電流共享。?
- 平均相電流和補償電壓的組合可調節(jié)補償環(huán)路的反饋電壓。
- 自然相位交錯和相位間恒定的電流平衡。
- 真正的電流模式控制，因為輸出電感不會影響電壓環(huán)路穩(wěn)定性。
高性能 Xilinx 和 Intel FPGA 平臺的靈活電源參考設計
D-CAP+? Control for Multiphase Step-Down Voltage Regulators for Powering Microp
通過封裝優(yōu)化改進了電氣性能和熱性能
我們采用 PowerStack? 和 HotRod? 封裝的智能功率級和電源模塊可以取代傳統(tǒng)的鍵合線 Quad Flat No-Lead 封裝和使用大型金屬芯片的堆疊。
優(yōu)勢：
- 降低寄生環(huán)路電感，從而加快開關速度并提高效率。
- 改進了熱性能，尤其是在中心焊盤上使用大型芯片連接焊盤的情況下時。
封裝優(yōu)化 - HotRod? QFN 和增強型 HotRod? QFN
實現(xiàn)多相電源解決方案的特色產(chǎn)品
用于先進的遙測和保護功能的智能驅動器，可實現(xiàn)簡化且可靠的設計
采用倒裝芯片 HotRod? 封裝的 NexFET? 技術功率級可提供優(yōu)化的效率和功率密度。我們的功率級還集成了智能驅動器電路。
優(yōu)勢：
- 逐周期溫度補償雙向電流檢測可確保在環(huán)境溫度下實現(xiàn)高達 2.5% 的精度，在過熱條件下實現(xiàn)高達 3% 的精度。
- 分辨率為 ±2°C 的溫度監(jiān)控。
- 逐周期過流限制、負過流、高側短路和過熱檢測。
- 與某些 TI 控制器搭配使用時可增強握手和故障診斷功能。
實現(xiàn)多相電源解決方案的特色產(chǎn)品
了解特色應用
借助我們的多相直流/直流電源轉換解決方案，可縮小整體解決方案尺寸、改善瞬態(tài)響應和輸出電壓紋波、優(yōu)化效率并增強系統(tǒng)保護。
優(yōu)勢：
- PowerStack? 封裝技術可消除寄生效應，而大型接地引線框可提供出色的散熱性能。
- 逐周期精確溫度補償雙向電流檢測可改善系統(tǒng)監(jiān)控。
- 高級故障監(jiān)控可提高系統(tǒng)可靠性。
- 集成 MOSFET、智能驅動器和電流傳感器提供開關功能，因此可消除無源器件，進而簡化印刷電路板布局布線。
- 我們的雙相控制器采用的 D-CAP+? 技術可增強非線性控制，為非對稱電路板設計提供靈活性。
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特色資源
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95420RCB – 50A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95411 – 65A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 功率級
為網(wǎng)絡交換機、路由器和智能 NIC 應用提供超過 1,000A 的電源解決方案，具有快速瞬態(tài)響應、更高的效率和更強的系統(tǒng)保護。
我們的大電流智能功率級具有主動共享功能，可堆疊使用，從而滿足更高的功率要求。
優(yōu)勢：
- 主動電流共享倍相功率級技術可確保堆疊功率級之間實現(xiàn)精確的電流共享。
- PowerStack? 封裝技術可消除寄生效應，而大型接地引線框可提供出色的散熱性能。
- 我們的雙相控制器采用的 D-CAP+? 技術可增強非線性控制，為非對稱電路板設計提供靈活性。?
特色資源
- CSD95430 – 90A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95420RCB – 50A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級
適用于 AI 硬件加速器和圖形處理單元 (GPU) 的緊湊型高功率直流/直流電源解決方案，具有快速瞬態(tài)響應、高效率和高級系統(tǒng)保護功能。
我們靈活且可擴展的控制器包括大電流智能功率級和快速瞬態(tài)控制器。
優(yōu)勢：
- 25V 場效應晶體管技術可支持高達 16V 的輸入電壓范圍。
- 逐周期溫度補償雙向電流檢測可改善系統(tǒng)監(jiān)控。
- 高級故障監(jiān)控可提高系統(tǒng)可靠性。
- 集成 MOSFET、智能驅動器和電流傳感器提供開關功能，因此可消除無源器件，進而簡化印刷電路板布局布線。
特色資源
- CSD96415 – 80A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 功率級
- CSD96416 – 50A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級
設計和開發(fā)資源
適用于具有 PMBus 接口的 D-CAP+? 降壓控制器的雙通道 (6+2/5+3) 評估模塊
借助 TPS53681EVM 評估模塊，用戶可在低電壓、高電流、降壓負載點 (POL) 應用中，通過隨附 PMBus 接口的配置、控制和監(jiān)控功能，評估 TPS53681 控制器（采用 CSD95490 智能功率級）的工作特性。
該器件的工作電壓范圍為 4.5V 至 17V，可通過 PMBus 接口和我們的 Fusion Digital Power? Designer 軟件進行編程和監(jiān)控。
TPSM831D31 8V 至 14V 輸入、雙輸出、120A + 40A PMBus 電源模塊評估模塊
具有 PMBus 接口 EVM 的雙通道（12+0、11+1 或 10+2 相）、D-CAP+ 降壓、直流/直流模擬
TPS536C7EVM 是供用戶評估 TPS536C7 控制器的評估模塊 (EVM)。
該控制器采用雙通道（12 + 0、11 + 1 或 10 + 2）相位配置，可通過 PMBus 接口進行 D-CAP+? 同步降壓無驅動器控制。該器件在 4.5V 至 17V 的電壓范圍內工作，可通過 PMBus 接口對控制器進行編程和監(jiān)控。
此 EVM 使用 CSD95410 同步降壓 NexFET? 90A 智能功率級器件作為功率級。