TI 高功率密度技術的優(yōu)勢
尺寸更小，散熱更少
通過結合獨特集成技術和超低 RDSON、低 RSP?FET 的高性能器件選項節(jié)省布板空間，從而實現(xiàn)更小的裸片尺寸。
熱性能更出色
利用先進的散熱技術（包括增強型 HotRod? QFN 封裝、電源 Wafer Chip-Scale Packaging (WCSP) 和頂部散熱），幫助封裝體散熱。
效率更高
借助多級轉換器拓撲和先進的功率級柵極驅動器，使用較小的無源器件實現(xiàn)較高的開關頻率，同時又不影響效率。
克服散熱挑戰(zhàn)的三種方法
無論是電路設計，?還是封裝研&發(fā)和熱優(yōu)化系統(tǒng)設計等，TI 都是您攻克功率密度難題的?理想合作伙伴。詳細了解我們實現(xiàn)更小、更高性能 IC 的多方面方法。
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特色高功率密度產(chǎn)品
特色高功率密度參考設計
基于 GaN 的 6.6kW 雙向車載充電器參考設計
大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計
TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用，可顯著減小 PCB 的大小，具體來說，PCB 面積縮小 2 倍以上，高度低于 4mm (...)
變頻、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱 PFC 參考設計
功率密度的基本原理詳解
在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大功率，才能推動每項技術的新進展。這是功率密度的目標所在：更小的封裝、更高的電流、更少的權衡。了解我們?nèi)绾卧谖磥韼啄晖苿訉崿F(xiàn)更高的功率密度。
了解有關其他電源發(fā)展趨勢的更多信息
憑借超高的工作電壓和可靠性提升安全性。
在不影響系統(tǒng)性能的同時，延長電池壽命和貨架期。
通過減少輻射發(fā)射，降低系統(tǒng)成本并快速滿足 EMI 標準。
增強功率和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護和精度。