功率密度?
在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能
借助哪些技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度？
隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制因素。電源設(shè)計(jì)人員必須向其應(yīng)用中集成更多的電路，才能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化，并提高效率和增強(qiáng)熱性能。通過(guò)采用 TI 的先進(jìn)工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，目前能以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率等級(jí)。
TI 高功率密度技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
尺寸更小，散熱更少
通過(guò)結(jié)合獨(dú)特集成技術(shù)和超低 RDSON、低 RSP?FET 的高性能器件選項(xiàng)節(jié)省布板空間，從而實(shí)現(xiàn)更小的裸片尺寸。
熱性能更出色
利用先進(jìn)的散熱技術(shù)（包括增強(qiáng)型 HotRod? QFN 封裝、電源 Wafer Chip-Scale Packaging (WCSP) 和頂部散熱），幫助封裝體散熱。
效率更高
借助多級(jí)轉(zhuǎn)換器拓?fù)浜拖冗M(jìn)的功率級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器，使用較小的無(wú)源器件實(shí)現(xiàn)較高的開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)又不影響效率。
克服散熱挑戰(zhàn)的三種方法
無(wú)論是電路設(shè)計(jì)，?還是封裝研&發(fā)和熱優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)等，TI 都是您攻克功率密度難題的?理想合作伙伴。詳細(xì)了解我們實(shí)現(xiàn)更小、更高性能 IC 的多方面方法。
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特色高功率密度產(chǎn)品
特色高功率密度參考設(shè)計(jì)
基于 GaN 的 6.6kW 雙向車載充電器參考設(shè)計(jì)
大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)
TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)，該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用，可顯著減小 PCB 的大小，具體來(lái)說(shuō)，PCB 面積縮小 2 倍以上，高度低于 4mm (...)
變頻、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱 PFC 參考設(shè)計(jì)
功率密度的基本原理詳解
在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大功率，才能推動(dòng)每項(xiàng)技術(shù)的新進(jìn)展。這是功率密度的目標(biāo)所在：更小的封裝、更高的電流、更少的權(quán)衡。了解我們?nèi)绾卧谖磥?lái)幾年推動(dòng)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
了解有關(guān)其他電源發(fā)展趨勢(shì)的更多信息
憑借超高的工作電壓和可靠性提升安全性。
在不影響系統(tǒng)性能的同時(shí)，延長(zhǎng)電池壽命和貨架期。
通過(guò)減少輻射發(fā)射，降低系統(tǒng)成本并快速滿足 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
增強(qiáng)功率和信號(hào)完整性，以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。