ZHCSGW6C October 2017 – June 2024 CSD25501F3
PRODUCTION DATA
- 1
- 1特性
- 2應(yīng)用
- 3說明
- 4Specifications
- 5Device and Documentation Support
- 6Revision History
- 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YJN|3
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
此 –20V、64mΩ P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，能夠更大限度地減小在許多手持式和移動應(yīng)用中占用的空間。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。集成的 10k? 鉗位電阻器 (RC) 可根據(jù)占空比讓柵極電壓 (VGS) 高于最大內(nèi)部柵極氧化值 –6V。通過二極管的柵極泄漏 (IGSS) 隨著 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 1.02 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 0.09 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 導(dǎo)通電阻 |
VGS = -1.8V | 120 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 86 | |||
| VGS = -4.5V | 64 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.75 | V | |
器件信息
| 器件(1) | 數(shù)量 | 介質(zhì) | 封裝 | 運輸 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25501F3 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto 0.73mm × 0.64mm 基板柵格陣列 (LGA) |
卷帶 包裝 |
| CSD25501F3T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C（除非另外注明） | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -20 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流(1) | -3.6 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(2) | -13.6 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
工作結(jié)溫， 貯存溫度 |
-55 至 150 | °C |
(1) 安裝在覆銅區(qū)域最小的 FR4 電路板上時的典型 RθJA = 255°C/W。
(2) 脈沖持續(xù)時間 ≤100μs，占空比 ≤1%。
典型器件尺寸
頂視圖