設(shè)計目標(biāo)
電源 |
負(fù)載 |
比較器輸出狀態(tài) (OUT) |
工作電壓范圍 |
最大工作電壓
(VOVER) |
電源 <
VOVER |
電源 ≥
VOVER |
12 V 至 36
V |
30V |
VOL < 0.4V |
VOH = 電源 |
設(shè)計說明
該過壓保護(hù)電路使用具有推挽輸出級的高電壓比較器來控制將電源連接到負(fù)載的 P
溝道 MOSFET。當(dāng)電源電壓超過過壓閾值 (VOVER) 時,比較器的輸出變?yōu)楦唠娖?,并通過打開 P 溝道 MOSFET
將負(fù)載與電源斷開。同樣,當(dāng)電源電壓低于 VOVER 時,比較器的輸出為低電平并將負(fù)載連接到電源。
設(shè)計注意事項
- 選擇具有推挽輸出級的高電壓比較器。
- 選擇低于電源最低工作電壓范圍的基準(zhǔn)電壓。
- 計算電阻分壓器的值,以便在比較器的輸入 (+IN)
達(dá)到比較器的基準(zhǔn)電壓時產(chǎn)生臨界過壓電平。
- 限制 P 溝道 MOSFET
的源極-柵極電壓,使其保持低于器件的最大允許值。
設(shè)計步驟
- 選擇具有推挽輸出級、能夠在最高可能電源電壓下工作的高電壓比較器。在該應(yīng)用中,最高的電源電壓為 36 V。
- 確定過壓檢測電路的相應(yīng)基準(zhǔn)電平。由于電源的最低工作電壓為 12
V,因此選擇 10 V 齊納二極管 (Z1) 作為基準(zhǔn) (VREF)。
- 通過考慮最小偏置電流來計算 R3 的值,以保持
Z1 電壓穩(wěn)定在 10V。使用最小偏置電流 100μA 以及最小電源電壓 12V。
- 計算所需的電阻分壓器分壓比,以便在電源升至 30 V 的目標(biāo)過壓電平
(VOVER) 時比較器的輸入 (+IN) 超過基準(zhǔn)電壓 (10 V)。
- 選擇 R1 和 R2
的值,從而通過使用以下公式或使用在線工具“分壓器計算器”生成 0.333V 的電阻分壓器分壓比。
如果使用以下公式,則在 100kΩ 范圍內(nèi)選擇 R2 值并計算 R1。在該示例中,為
R2 選擇了值 100k。
- 請注意,應(yīng)用電路中使用的 TLV1805 具有 15 mV
的遲滯。這意味著當(dāng)電源上升時,實際開關(guān)閾值將比開關(guān)閾值 (VREF) 高 7.5mV;當(dāng)電源下降時,實際開關(guān)閾值要低
7.5mV。在直流仿真曲線中最容易看到遲滯結(jié)果。由于電源通過電阻器以系數(shù) 3 進(jìn)行分壓,因此對電源開關(guān)閾值的凈影響是該值的 3 倍。
- 驗證通過電阻分壓器的電流是否至少比比較器的輸入偏置電流高 100
倍。電阻器可以具有高值,以最大程度地減小電路中的功耗,而不會使電阻分壓器的誤差顯著增加。
- 選擇齊納二極管 (Z2),限制 P 溝道
MOSFET 的源極-柵極電壓 (VSG),使其保持低于器件的最大允許值。P 溝道功率 MOSFET 通常具有 20 V 的
VSG 最大值,因此從源極到柵極放置一個 16 V 齊納二極管。
- 計算限流電阻器 (R4) 的值。當(dāng)電源上升至
16 V 以上并且 Z2 開始導(dǎo)通時,R4 會限制比較器輸出為低電平時其輸出的灌電流大小。當(dāng)標(biāo)稱電源電壓為 24V
時,灌電流限制為 80μA。
設(shè)計仿真
直流仿真結(jié)果
瞬態(tài)仿真結(jié)果
參考資料:
-
模擬工程師電路設(shè)計指導(dǎo)手冊
- SPICE 仿真文件 SNOAA20
-
TI 高精度實驗室
設(shè)計特色比較器
TLV1805-Q1/TLV1805 |
VS
|
3.3V 至 40V |
VinCM
|
軌到軌 |
VOUT
|
推挽 |
VOS
|
500μV |
遲滯 |
15mV |
IQ
|
135μA |
tPD(HL)
|
250ns |
TLV1805
|
設(shè)計備用比較器
|
TLV3701/TLV370x-Q1 |
TLC3702/TLC3702-Q1 |
VS
|
2.5V 至 16V |
4V 至 16V |
VinCM
|
軌到軌 |
-1V(相對于 VDD) |
VOUT
|
推挽 |
推挽 |
VOS
|
250μV |
1.2mV |
遲滯 |
不適用 |
不適用 |
IQ
|
0.56μA |
9.5μA/通道 |
tPD(HL)
|
36μs |
0.65μs |
|
TLV3701
|
TLC3702
|