ZHCAA39C October 2020 – September 2023 ISO6720-Q1 , ISO6721 , ISO6721-Q1 , ISO6731 , ISO6740 , ISO6741 , ISO6741-Q1 , ISO6742 , ISO7021 , ISO7041 , ISO7131CC , ISO7140CC , ISO7140FCC , ISO7141CC , ISO7141FCC , ISO7142CC , ISO7142CC-Q1 , ISO721 , ISO721-Q1 , ISO721M , ISO721M-EP , ISO722 , ISO722-Q1 , ISO7220A , ISO7220A-Q1 , ISO7220B , ISO7220C , ISO7220M , ISO7221A , ISO7221A-Q1 , ISO7221B , ISO7221C , ISO7221C-HT , ISO7221C-Q1 , ISO7221M , ISO722M , ISO7230C , ISO7230M , ISO7231C , ISO7231C-Q1 , ISO7231M , ISO7240C , ISO7240CF , ISO7240CF-Q1 , ISO7240M , ISO7241A-EP , ISO7241C , ISO7241C-Q1 , ISO7241M , ISO7242C , ISO7242C-Q1 , ISO7242M , ISO7310-Q1 , ISO7310C , ISO7310FC , ISO7320-Q1 , ISO7320C , ISO7320FC , ISO7321-Q1 , ISO7321C , ISO7321FC , ISO7330-Q1 , ISO7330C , ISO7330FC , ISO7331-Q1 , ISO7331C , ISO7331FC , ISO7340-Q1 , ISO7340C , ISO7340FC , ISO7341-Q1 , ISO7341C , ISO7341FC , ISO7342-Q1 , ISO7342C , ISO7342FC , ISO7420 , ISO7420E , ISO7420FCC , ISO7420FE , ISO7420M , ISO7421 , ISO7421-EP , ISO7421A-Q1 , ISO7421E , ISO7421E-Q1 , ISO7421FE , ISO7520C , ISO7521C , ISO7631FC , ISO7631FM , ISO7640FM , ISO7641FC , ISO7641FM , ISO7710 , ISO7710-Q1 , ISO7720 , ISO7720-Q1 , ISO7721 , ISO7721-Q1 , ISO7730 , ISO7730-Q1 , ISO7731 , ISO7731-Q1 , ISO7740 , ISO7740-Q1 , ISO7741 , ISO7741-Q1 , ISO7741E-Q1 , ISO7742 , ISO7742-Q1 , ISO7760 , ISO7760-Q1 , ISO7761 , ISO7761-Q1 , ISO7762 , ISO7762-Q1 , ISO7763 , ISO7763-Q1 , ISO7810 , ISO7820 , ISO7821 , ISO7830 , ISO7831 , ISO7840 , ISO7841 , ISO7842 , ISOW7821 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
雖然電容式數(shù)字隔離器和光耦合器的功能相似,但這些器件在結(jié)構(gòu)和工作原理上有很大的不同。光耦合器使用 LED 來跨隔離(或絕緣)層(通常只是空氣間隙)傳輸數(shù)字或模擬信息。一些光耦合器使用環(huán)氧樹脂作為絕緣材料,其介電強(qiáng)度比空氣稍好,如圖 1-1 中所示。另一方面,電容式數(shù)字隔離器由兩個(gè)使用 SiO2 作為電介質(zhì)的串聯(lián)隔離電容器構(gòu)成,如圖 1-2 中所示。SiO2 是絕緣材料中介電強(qiáng)度最高的材料之一,與同類隔離技術(shù)使用的電介質(zhì)相比,它的介電強(qiáng)度明顯更強(qiáng),如表 1-1 中所示。
絕緣材料 | 介電強(qiáng)度 |
---|---|
空氣 | 約 1VRMS/μm |
環(huán)氧樹脂 | 約 20VRMS/μm |
二氧化硅填充的模塑化合物 | 約 100VRMS/μm |
聚酰亞胺 | 約 300VRMS/μm |
SiO2 | 約 500VRMS/μm |