在特別注意元件布局、關(guān)鍵布線和環(huán)路布線的同時(shí)，內(nèi)層 GND 銅平面布線也很重要。將整層 GND 覆銅平面置于開(kāi)關(guān)環(huán)路下方即可為電路建立無(wú)源屏蔽。根據(jù)楞次定律，屏蔽層中的電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)來(lái)抵消原有開(kāi)關(guān)回路磁場(chǎng)。結(jié)果是磁通量減少，EMI 性能得以提高。將整層 GND 覆銅平面置于高頻開(kāi)關(guān)環(huán)路下方可提供卓越性能。

對(duì)于大功率集成升壓或降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，熱性能對(duì)于電路設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。熱性能決定了系統(tǒng)可靠性。TI 建議在 TPS55288 下方使用散熱過(guò)孔，將 PGND 引腳和 VOUT 引腳分別連接到 PGND 平面和大 VOUT 區(qū)域。圖 2-7 和圖 2-8 顯示了具有出色熱性能的合理布局示例。兩個(gè)整層 GND 放在第 2 層和第 4 層上。大 VOUT 區(qū)域放置在第 3 層上。

圖 2-7 在 PGND 引腳上放置散熱過(guò)孔

圖 2-8 在 VOUT 引腳上放置散熱過(guò)孔