ZHCAB10B August 2020 – December 2020 TPS55288 , TPS55288-Q1 , TPS552882 , TPS552882-Q1
2.2 電源元件放置
圖 2-2 介紹了功率 MOSFET、輸入和輸出陶瓷電容器、主電感器和 TPS55288 器件在頂層的放置方式。
圖 2-2 功率級元件的放置輸入電容器靠近降壓橋臂 MOSFET 放置。輸出電容器靠近 TPS55288 的 VOUT 引腳和 PGND 引腳放置?？梢酝ㄟ^妥善放置電源環(huán)路 1 和電源環(huán)路 2 打造一個較小的封閉區(qū)域。
主電感器 L1 位于降壓橋臂 MOSFET 和 TPS55288 器件之間。SW 節(jié)點澆注有小銅平面，可減少與 SW 節(jié)點高 dv/dt 轉(zhuǎn)換相關(guān)的電容耦合。大 SW 節(jié)點銅平面有助于散熱，但會導(dǎo)致嚴(yán)重的輻射發(fā)射。