圖 2-3 和圖 2-4 顯示了從 IC 到降壓橋臂 MOSFET 的柵極驅(qū)動布線。驅(qū)動布線布置在第 1 層和第 3 層。開爾文 – 將柵極驅(qū)動返回布線直接連接到相應(yīng)的 MOSFET 源可最大限度地減少共源電感。為了最大限度地減小柵極環(huán)路面積，柵極和源布線作為差分對并排布置。低側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的返回電流在 GND 平面上流回 IC 的 PGND 引腳。柵極驅(qū)動電阻應(yīng)靠近每個 MOSFET 的柵極端子放置。

圖 2-3 低側(cè) FET 驅(qū)動布線布置

圖 2-4 高側(cè) FET 驅(qū)動布線布置

圖 2-5 顯示了輸出電流感測的布線。布線作為緊密耦合的差分對從分流電阻器路由到 IC，這可以提高抗噪性和精度。將電流感測濾波電容器靠近 IC 放置。

圖 2-5 輸出電流感測布線布置

圖 2-6 顯示了 AGND 和 PGND 連接。TPS55288 的 AGND 和 PGND 引腳在頂層直接澆注在一起。反饋網(wǎng)絡(luò)和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的接地網(wǎng)通過過孔與 GND 覆銅平面相連。VCC 電容應(yīng)盡可能靠近 IC 放置。VCC 電容的 GND 網(wǎng)應(yīng)通過過孔直接與內(nèi)層的 GND 平面相連，使 VCC 供電電流能夠以低阻抗返回 IC 的 PGND。

圖 2-6 AGND-PGND 連接