ZHCAB53B December 2020 – February 2024 DP83TG720R-Q1 , DP83TG720S-Q1
2.1 原理圖
MDI、基準(zhǔn)時(shí)鐘和電源網(wǎng)絡(luò)的原理圖和正確的元件對(duì)于 1000BT1 PHY 的性能至關(guān)重要。本節(jié)顯示了 OA TC12 測(cè)試期間使用的建議原理圖和元件值。
圖 2-1 電源網(wǎng)絡(luò)：適用于具有睡眠模式要求的應(yīng)用
圖 2-2 電源網(wǎng)絡(luò)：適用于不具有睡眠模式要求的應(yīng)用
圖 2-3 MDI 和晶體原理圖表 2-1 參數(shù)、元件和值
| 參數(shù)/元件 | 值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦電容器 VDDIO（引腳 34） | 10nF、100nF |
| 去耦電容器 VDDIO（引腳 22） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDIO 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18HE102SN1 |
| VDDA | 3.3 V |
| 去耦電容器 VDDA（引腳 11） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDA 的鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| VDD1p0 | 1V 或 1.05V（用于處理 IR 壓降） |
| 去耦電容器 VDD1P0（引腳 9） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 去耦電容器 VDDA（引腳 21） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDD1P0 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| Vsleep | 3.3 V |
| 直流阻斷電容器（1% 精度，100V） | 0.1μF |
| 共模扼流圈 |
Murata：DLW32MH101XT2 |
| 共模端接電阻器（1% 精度，0.75W，尺寸：2010） | 1 kΩ |
| MDI 耦合電容器 | 4.7nF |
| ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805 | 100 kΩ |
| 隔離電阻器 1（0.25W，尺寸：1206） | 0 Ω |
| 隔離電阻器 2（0.25W，尺寸：1206） | 0 Ω |
| 隔離電容 | 未組裝 |
| R_XI | 100 Ω |
| R_XO | 晶體瓦數(shù)規(guī)格所需的最小值 |