在半橋橋臂上，高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的開關(guān)瞬間之間會存在死區(qū)時間，以避免發(fā)生電流擊穿。由于存在死區(qū)時間插入，相節(jié)點上的預期電壓與施加的電壓會因相電流方向而異。相節(jié)點電壓失真會在相電流中引入不必要的失真，進而導致可聞噪聲。MCF8316 器件集成了專有死區(qū)時間補償技術(shù)，利用諧振控制器將相電流中的諧波分量控制為零，從而確保緩解死區(qū)時間導致的電流失真。Iq 和 Id 控制路徑中都包含諧波控制器。圖 2-4 展示了禁用死區(qū)時間補償時的相電流波形與相電流 FFT。圖 2-5 展示了啟用死區(qū)時間補償時的相電流波形與相電流 FFT。在以下圖片中，PWM 輸出頻率設為 60 kHz，死區(qū)時間設為 500 ns。電機頻率為 12 Hz。如圖中電流波形的 FFT 所示（信號以粉色顯示），在啟用死區(qū)補償后，相電流波形變得更加干凈。