4 總結(jié)

在為功率晶體管選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)，一定要確保提供適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電壓，以充分增強(qiáng)功率開關(guān)，并更大限度地減少功率損耗。HV 系統(tǒng)中頗受歡迎的功率晶體管選擇是 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 IGBT。通常 IGBT 和 SiC MOSFET 需要比 Si MOSFET 更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓才能充分增強(qiáng)器件。雖然一個(gè) TPSI3050 器件可以為 Si MOSFET 提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，但兩個(gè) TPSI3050 器件可以提供不同的柵極驅(qū)動(dòng)電壓選項(xiàng)，以優(yōu)化 IGBT 和 SiC MOSFET 的功耗。