ZHCAC11B July 2018 – January 2023 TPS50601-SP , TPS50601A-SP , TPS7H1101-SP , TPS7H1101A-SP , TPS7H3301-SP , TPS7H4001-SP
3.2 設置
為了展示 TI 的航天產(chǎn)品系列對本設計的適用性，對 RTG4 開發(fā)套件進行了修改，將與上電要求相關的電壓軌替換為符合航天標準的電源器件評估模塊 (EVM)（TPS50601SPEVM-S、TPS50601SPEVM-D 和 TPS7H1101SPEVM）。該演示旨在展示重負載下的功能，由于演示的限制，與建議的基礎設計并不完全匹配。RTG4 刷寫了高電流設計，在 1.2V 電壓下的內(nèi)核電流消耗約為 5A。測試設置如圖 3-3 所示。
圖 3-3 連接到 TI 評估模塊的經(jīng)過修改的 RTG4 開發(fā)板然后移除開發(fā)板上的復位監(jiān)控器，并使用每個器件的電源正常和使能引腳控制電壓軌的時序，如圖 3-5 所示。開發(fā)板的 12V 輸入源更改為 6V 電源，以滿足 TI 航天電源器件的輸入要求。圖 3-4 中顯示了修改后的開發(fā)板的電源樹。新元件以橙色顯示。
圖 3-4 經(jīng)過修改的 RTG4 開發(fā)板配電，使用 TI 航天級元件
圖 3-5 經(jīng)過修改的 RTG4 開發(fā)板電源序列所有器件的上升時間均配置為至少 1ms，以避免浪涌電流。按比例控制內(nèi)核電壓軌 VDD 與 SERDES IO 軌的時序，以確保兩個電壓軌的上升時間符合 RTG4 的要求。