由于 V_OUT 在此配置中是 IC 接地，因此 EN 引腳必須以 V_OUT（而非接地）為基準(zhǔn)。在降壓配置中，產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中使能引腳的額定典型閾值電壓為 0.9V（被視為高電平）和 0.3V （被視為低電平）（請參閱 TPS62130、TPS62140、TPS62150、TPS62160 和 TPS62170 產(chǎn)品數(shù)據(jù)表，以及參考文獻(xiàn) 2 至 參考文獻(xiàn) 6）。但在反相降壓/升壓配置中，V_OUT 電壓是基準(zhǔn)電壓；因此，高閾值為 0.9V + V_OUT，低閾值為 0.3V + V_OUT。例如，如果 V_OUT = –3.3V，V_EN 在高于 –2.4V 的電壓下被視為高電平，在低于 -3V 的電壓下被視為低電平。DEF 和 FSW 引腳也具有相同的效果。

這種行為可能會導(dǎo)致難以啟用或禁用器件，因?yàn)樵谀承?yīng)用中，提供 EN 信號的 IC 可能無法產(chǎn)生負(fù)電壓。圖 2-4 所示的電平轉(zhuǎn)換器通過消除負(fù) EN 信號，減少了與失調(diào) EN 閾值電壓相關(guān)的任何問題。

VOUT 是反相降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的負(fù)輸出電壓

圖 2-4 EN 引腳電平轉(zhuǎn)換器

最初驅(qū)動 EN 的正信號改為連接到 Q1 的柵極 (SYS_EN)。當(dāng) Q1 關(guān)閉 (SYS_EN grounded) 時，Q2 在其 V_GS 上看到 0V，并且也保持關(guān)閉。在這種狀態(tài)下，EN 引腳檢測到 V_OUT 低于低電平閾值，并禁用該器件。

當(dāng) SYS_EN 提供足夠的正電壓來開啟 Q1（MOSFET 數(shù)據(jù)表中指定的 V_GS 最小值）時，Q2 的柵極通過 Q1 被拉低。這會將 Q2 的 V_GS 驅(qū)動為負(fù)，并打開 Q2。因此，V_IN 通過 Q2 連接到 EN，且該引腳高于高電平閾值，從而使器件導(dǎo)通。確保 Q2 的 V_GD 在使能和禁用狀態(tài)下均保持在 MOSFET 的額定值范圍內(nèi)。不遵守此約束可能會導(dǎo)致 MOSFET 損壞。

啟用和禁用序列如圖 2-5 和圖 2-6 所示。SYS_EN 信號激活使能電路，G/D NODE 信號表示 Q1 和 Q2 之間的共享節(jié)點(diǎn)。EN 信號是電路的輸出，從 VIN 變?yōu)?–VOUT，從而正確啟用和禁用器件。該設(shè)計(jì)采用了一個有源放電電路，來在 IC 被禁用時將 V_OUT 加速恢復(fù)到 0V。

圖 2-5 啟動時的 EN 引腳電平轉(zhuǎn)換器

圖 2-6 關(guān)斷時的 EN 引腳電平轉(zhuǎn)換器