ZHCAE99A September 2019 – July 2024 BQ24392 , HD3SS212 , HD3SS213 , HD3SS214 , HD3SS215 , HD3SS3202 , HD3SS3212 , HD3SS3220 , HD3SS3411 , HD3SS460 , TMUXHS4212 , TS3DV642 , TS3USB221 , TS3USB221A , TS3USB221E , TS3USB30 , TS3USB3000 , TS3USB3031 , TS3USB30E , TS3USB31 , TS3USB31E , TS3USB3200 , TS5USBA224 , TS5USBC400 , TS5USBC402 , TS5USBC41 , TUSB1042I , TUSB542
導(dǎo)通電阻 (RON) 是多路復(fù)用器在漏極和源極端子之間的路徑電阻，即多路復(fù)用器在閉合狀態(tài)時(shí)引入電路的電阻。影響 RON 的因素有很多，例如：
與 RON 相關(guān)的另一個(gè)重要規(guī)格是 RON 平坦度。RON 平坦度衡量的是 RON 在多路復(fù)用器工作電壓范圍內(nèi)的變化情況。RON 平坦度會(huì)因多路復(fù)用器的類型和設(shè)計(jì)特性而有顯著差異。特別是音頻應(yīng)用需要低平坦度值，因?yàn)槠教苟葘?dǎo)致的諧波失真應(yīng)盡可能低
理想情況下，RON 應(yīng)盡可能低，以保持較小的信號(hào)損失和傳播延遲。為了讓模擬多路復(fù)用器實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和平坦度，有兩個(gè)參數(shù)至關(guān)重要。對于 PMOS 和 NMOS 來說，尺寸必須盡可能大，而電壓閾值必須盡可能低。增加 MOSFET 器件的寬長比 (W/L) 不僅會(huì)提高多路復(fù)用器的成本，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致更高的寄生電容和更大的器件面積。這種更大的寄生電容會(huì)降低模擬多路復(fù)用器能夠無失真?zhèn)鬏斝盘?hào)的帶寬。