2 功率因數(shù)校正 (PFC)

當(dāng)前主流的 PFC 采用基于電橋的解決方案，將 IGBT 或 MOSFET 用作開關(guān)器件。這種方法會導(dǎo)致輸入橋式整流器和電源開關(guān)產(chǎn)生顯著損耗，整體效率僅在 96%-97% 左右。此外，由于開關(guān)頻率受限，升壓電感器的尺寸很大，從而增加了 PFC 的整體體積和重量。

TI 推出了基于第三代半導(dǎo)體 GaN 的圖騰柱 PFC 解決方案。此圖騰柱 PFC 使用有源開關(guān)替代傳統(tǒng)二極管電橋并使用 GaN 代替 MOSFET，從而提高了效率，峰值效率超過 99%。

憑借更高的效率和更快的開關(guān)頻率，圖騰柱 PFC 非常適合高功率密度應(yīng)用。它可以進(jìn)一步減小升壓電感器的尺寸，從而最終提高功率密度。

TIDA-010203 和 TIDA-010236 是基于 GaN 和 C2000 的兩種數(shù)字圖騰柱 PFC 參考設(shè)計，分別可實現(xiàn) 99.1% 和 98.6% 的峰值效率。