3 未來(lái)技術(shù)和趨勢(shì)

面向儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)正在推動(dòng)脫碳過(guò)程的發(fā)展。成本、設(shè)計(jì)尺寸和效率是將這些終端設(shè)備提升到新水平的重要指標(biāo)。通過(guò)引入 SiC 和 GaN 等寬帶隙技術(shù)，可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行，從而提高功率密度和減小外形尺寸，縮小無(wú)源器件的尺寸，從而降低系統(tǒng)成本。憑借豐富的 GaN 器件產(chǎn)品系列，TI 已準(zhǔn)備好通過(guò)先進(jìn)的產(chǎn)品來(lái)支持這一趨勢(shì)。如需了解更多相關(guān)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) TI 的氮化鎵 (GaN) 功率級(jí) 應(yīng)用頁(yè)面。

可以觀察到的另一個(gè)趨勢(shì)是將直流總線(xiàn)額定值增加到 1500V 至 2000V。通過(guò)做到這一點(diǎn)，能夠以更低的電流實(shí)現(xiàn)更高的功率等級(jí)，從而影響系統(tǒng)中的損耗。不過(guò)，這要求對(duì)系統(tǒng)元件的隔離要求和器件額定值進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。

從兩電平轉(zhuǎn)換器遷移到多級(jí)轉(zhuǎn)換器有助于增加直流總線(xiàn)電壓，并有效改善共模抑制，從而使 EMI 濾波器設(shè)計(jì)變得更小。實(shí)現(xiàn)飛跨電容拓?fù)鋾?huì)與升壓電感器看到的每個(gè)級(jí)別的紋波頻率相乘，而升壓電感器可以采用更小的值來(lái)確定尺寸。

上述所有特性都有助于減小太陽(yáng)能和電池儲(chǔ)能系統(tǒng)中電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)尺寸并降低成本，甚至提高效率。