ZHCADF2 December   2023 CSD13201W10 , CSD13302W , CSD13303W1015 , CSD13306W , CSD13380F3 , CSD13381F4 , CSD13383F4 , CSD13385F5 , CSD15380F3 , CSD17381F4 , CSD17382F4 , CSD17483F4 , CSD17484F4 , CSD17585F5 , CSD18541F5 , CSD22202W15 , CSD22204W , CSD22205L , CSD22206W , CSD23202W10 , CSD23203W , CSD23280F3 , CSD23285F5 , CSD23381F4 , CSD23382F4 , CSD25202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD25304W1015 , CSD25480F3 , CSD25481F4 , CSD25483F4 , CSD25484F4 , CSD25485F5 , CSD25501F3 , CSD75207W15 , CSD75208W1015 , CSD83325L , CSD85302L , CSD86311W1723 , CSD87501L

1.   1
2.   摘要
3.   商標(biāo)
4. 1解決芯片級(jí)功率 MOSFET 的組裝問題
5. 2Land Grid Array (LGA) MOSFET 封裝技術(shù)
6. 3晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝技術(shù)
7. 4常見問題
8. 5優(yōu)秀實(shí)踐
9. 6出現(xiàn)問題時(shí)的注意事項(xiàng)
   1. 6.1 傾斜或錯(cuò)位的封裝
   2. 6.2 出現(xiàn)焊球、焊接不佳或者無焊接
   3. 6.3 設(shè)備有缺口或破裂
10. 7總結(jié)
11. 8參考資料

解決芯片級(jí)功率 MOSFET 的組裝問題

本資源的原文使用英文撰寫。 為方便起見，TI 提供了譯文；由于翻譯過程中可能使用了自動(dòng)化工具，TI 不保證譯文的準(zhǔn)確性。 為確認(rèn)準(zhǔn)確性，請(qǐng)務(wù)必訪問 ti.com 參考最新的英文版本（控制文檔）。