計算工具
CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
TMCS1133-Q1
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 溫度等級 1：–40°C 至 125°C，TA
- 功能安全型
- 可幫助進行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
- 高持續(xù)電流能力：80ARMS
- 可靠的增強型隔離
- 高精度
- 靈敏度誤差：±0.1%
- 靈敏度熱漂移： ±20ppm/°C
- 靈敏度壽命漂移：±0.2%
- 失調(diào)電壓誤差： ±0.2mV
- 偏移熱漂移：±10μV/°C
- 偏移壽命漂移：±0.2mV
- 非線性：±0.1%
- 對外部磁場具有高抗擾度
- 快速響應(yīng)
- 信號帶寬：1MHz
- 響應(yīng)時間：120ns
- 傳播延遲：50ns
- 過流檢測響應(yīng)：100ns
- 工作電源電壓范圍：3V 至 5.5V
- 雙向和單向電流檢測
- 多個靈敏度選項：
- 范圍為 20mV/A 至 150mV/A
- 安全相關(guān)認(rèn)證
- UL 1577 組件認(rèn)證計劃
- IEC/CB 62368-1
TMCS1133-Q1 是一款電隔離霍爾效應(yīng)電流傳感器，具有業(yè)界出色的隔離功能和精度。該器件還提供與輸入電流成正比的輸出電壓，且在所有靈敏度選項下均具有出色的線性度和低漂移。具有內(nèi)置漂移補償功能的精密信號調(diào)節(jié)電路能夠在沒有系統(tǒng)級校準(zhǔn)的情況下，在溫度和壽命范圍內(nèi)實現(xiàn)小于 1.4% 的最大靈敏度誤差，或在一次性室溫校準(zhǔn)的情況下，實現(xiàn)小于 0.9% 的最大靈敏度誤差（包括壽命和溫度漂移）。
交流或直流輸入電流流經(jīng)內(nèi)部導(dǎo)體，所產(chǎn)生的磁場可由集成式片上霍爾效應(yīng)傳感器進行測量。無磁芯結(jié)構(gòu)消除了對磁集中器的需求。差分霍爾傳感器可抑制外部雜散磁場產(chǎn)生的干擾。低導(dǎo)體電阻將可測量電流范圍提高至 ±96A，同時更大程度地降低功率損耗并降低散熱要求。絕緣能夠承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬電距離和間隙，可提供高電平的可靠壽命增強型工作電壓。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬態(tài)抗擾度。
固定的靈敏度允許器件使用單個 3V 至 5.5V 的電源運行，因此消除了比例式誤差并提高了電源噪聲抑制能力。
技術(shù)文檔
未找到結(jié)果。請清除搜索并重試。
查看全部 6 | 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TMCS1133-Q1 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn) 、具有 增強型工作電壓 、過流檢測 和環(huán)境磁場抑制功能的 精密 1MHz 霍爾效應(yīng)電流傳感器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 8月 11日 |
| 功能安全信息 | TMCS1123-Q1, TMCS1126-Q1, TMCS1127-Q1, and TMCS1133-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2025年 5月 5日 | |||
| 應(yīng)用手冊 | 在高電磁干擾應(yīng)用中使用 TMCS11xx | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 4月 24日 | |
| 證書 | TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 8月 21日 | ||||
| 證書 | TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 8月 21日 | ||||
| 證書 | TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 8月 21日 |
設(shè)計和開發(fā)
如需其他信息或資源，請點擊以下任一標(biāo)題進入詳情頁面查看（如有）。
評估板
TMCS-A-ADAPTER-EVM — 適用于 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應(yīng)電流傳感器適配器卡（不包括 IC）
TMCS-A-ADAPTER-EVM 評估模塊 (EVM) 旨在促進快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應(yīng)精密電流檢測監(jiān)控器。此 EVM 支持用戶通過霍爾輸入側(cè)推送高達 90A 的電流，同時通過隔離柵測量隔離式輸出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一個未組裝的 PCB，預(yù)留了用于組裝測試點的位置和用于器件評估的分線接頭引腳。PCB 焊盤采用重疊結(jié)構(gòu)，因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能與 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。
評估板
TMCS1133EVM — TMCS1133 評估模塊
TMCS1133EVM 評估模塊 (EVM) 工具旨在實現(xiàn) TMCS1133 的快速便捷應(yīng)用，TMCS1133 是一款采用內(nèi)部基準(zhǔn)的隔離式霍爾效應(yīng)精密電流檢測監(jiān)測器。此 EVM 支持用戶在霍爾輸入側(cè)提供最大工作電流，同時通過增強型隔離柵測量隔離式輸出。此固定裝置布局并非作為目標(biāo)電路的模型使用，也不針對電磁 (EMI) 測試進行布局。該 EVM 由單個印刷電路板 (PCB) 構(gòu)成，可拆分為五個單獨部分，支持用戶測試單個靜態(tài)點的所有靈敏度變化（A = 2.5V、B = 1.65V 或 C = 0.33V）。
參考設(shè)計
PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高壓轉(zhuǎn)低壓直流/直流轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
此參考設(shè)計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)的 3.5kW 高壓轉(zhuǎn)低壓直流/直流轉(zhuǎn)換器。采用 LMG3522R030 作為初級開關(guān)可使該轉(zhuǎn)換器在高開關(guān)頻率下工作。在此設(shè)計中，轉(zhuǎn)換器使用了尺寸更小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求，轉(zhuǎn)換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
參考設(shè)計
PMP41139 — 3.5kW，800V 至 14V DC/DC 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
此參考設(shè)計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器使用堆疊半橋 (SHB) 拓?fù)?，能夠使?650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作為初級開關(guān)可使該轉(zhuǎn)換器在高開關(guān)頻率下工作。在此設(shè)計中，轉(zhuǎn)換器使用了尺寸較小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求，轉(zhuǎn)換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DVG) | 10 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點