ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
要設(shè)置 OTG 輸出電壓限制，請使用圖 9-27、表 9-35 和表 9-36 中列出的數(shù)據(jù)格式寫入 REG0x07/06()。
DAC 在數(shù)字核心中被鉗制在最小 3V 和最大 20.8V。任何低于最小值或高于最大值的寄存器寫入都將被忽略。當(dāng) REG0x34[2] = 1 時(shí)，不存在 DAC 失調(diào)電壓。當(dāng) REG0x34[2] = 0 時(shí)，DAC 偏移 1.28V
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| 保留 | OTG 電壓，第 11 位 | OTG 電壓，第 10 位 | OTG 電壓，第 9 位 | OTG 電壓，第 8 位 | OTG 電壓，第 7 位 | OTG 電壓，第 6 位 | |
| R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| OTG 電壓，第 5 位 | OTG 電壓，第 4 位 | OTG 電壓，第 3 位 | OTG 電壓，第 2 位 | OTG 電壓，第 1 位 | OTG 電壓，第 0 位 | 保留 | |
| 讀/寫 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 說明：R/W = 讀/寫；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
| I2C 07h | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | 保留 | 讀/寫 | 00b | 未使用。1 = 無效寫入。 |
| 5 | OTG 電壓，第 11 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 16656mV 的 OTG 電壓。 |
| 4 | OTG 電壓，第 10 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 8328mV 的 OTG 電壓。 |
| 3 | OTG 電壓，第 9 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 4164mV 的 OTG 電壓。 |
| 2 | OTG 電壓，第 8 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 2082mV 的 OTG 電壓。 |
| 1 | OTG 電壓，第 7 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 1041mV 的 OTG 電壓。 |
| 0 | OTG 電壓，第 6 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 521mV 的 OTG 電壓。 |
| I2C 06h | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | OTG 電壓，第 5 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 260mV 的 OTG 電壓。 |
| 6 | OTG 電壓，第 4 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 130mV 的 OTG 電壓。 |
| 5 | OTG 電壓，第 3 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 65mV 的 OTG 電壓。 |
| 4 | OTG 電壓，第 2 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 33mV 的 OTG 電壓。 |
| 3 | OTG 電壓，第 1 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 16mV 的 OTG 電壓。 |
| 2 | OTG 電壓，第 0 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 8.1mV 的 OTG 電壓。 |
| 1-0 | 保留 | 讀/寫 | 00b | 未使用。忽略值。 |