ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
輸入電容器應具有足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關紋波電流。在降壓模式下,當占空比為 0.5 時,最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半(加上有任何系統(tǒng)負載時的系統(tǒng)電流)。如果轉換器不以 50% 的占空比運行,則最壞情況下的電容器 RMS 電流發(fā)生在占空比最接近 50% 的位置,可通過方程式 5 估算得出:
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容是輸入去耦電容的首選,應放置在 RAC 電流檢測的前面,并盡可能靠近功率級半橋 MOSFET。功率級半橋之前 RAC 后的電容應限制為 10nF + 1nF,請參見圖 10-2。這是因為,如果 RAC 后的電容過大,可能會濾除 RAC 電流檢測紋波信息。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平,19V 至 20V 輸入電壓下最好使用 25V 額定電壓或更高的電容器。表 10-1 給出了最小輸入有效電容建議。
陶瓷電容器 (MLCC) 顯示了直流偏置效應。在陶瓷電容器上施加直流偏置電壓時,這種效應可減小有效電容,就像是在充電器的輸入電容器上一樣。這種影響可能會導致顯著的電容壓降,尤其是對于高輸入電壓和小型電容器封裝。請參閱制造商的數(shù)據(jù)表,了解施加直流偏置電壓時的降額性能。為了在運行點獲得所需的有效電容值,也許有必要選擇一個更高的額定電壓或者標稱電容值??紤]到 25V 0603 封裝 MLCC 電容在 19V 至 20V 輸入電壓下降額,建議的實際電容配置也可在表 10-1 中找到。鉭電容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效應和溫度變化影響,推薦用于功率更高的 90W 至 130W 應用。
輸入電容器與總輸入功率的關系 | 65W | 90W | 130W |
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最低有效輸入電容 | 4μF | 6μF | 13μF |
最小實際輸入電容器配置 | 4 個 10μF (0603 25V MLCC) | 6 個 10μF (0603 25V MLCC) | 3 個 10μF (0603 25V MLCC) 1 個 10μF(25V 至 35V POSCAP) |