ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
BQ25713/BQ25713B 采用窄 VDC 架構(gòu) (NVDC)，BATFET 將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由 MinSystemVoltage() 設(shè)置。即使電池電量深度耗盡，也可將系統(tǒng)調(diào)節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓。
當(dāng)電池電壓低于最小系統(tǒng)電壓設(shè)置時(shí)，BATFET 以線性模式（LDO 模式）運(yùn)行。
當(dāng)電池電壓升至高于最小系統(tǒng)電壓時(shí)，BATFET 在充電或補(bǔ)充模式下完全導(dǎo)通，系統(tǒng)和電池之間的電壓差為 BATFET 的 VDS。BATFET 關(guān)斷（無(wú)充電或無(wú)補(bǔ)充電流）時(shí)，系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)為高于電池電壓 160mV。
BATDRV 引腳只能在 Ciss 低于 5nF 的情況下驅(qū)動(dòng)電池 MOSFET。建議使用 1nF 至 3nF 范圍內(nèi)的 Ciss。
有關(guān)系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)和寄存器編程的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 9.6.5.1。