開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的性能在很大程度上取決于 PCB 布局的質(zhì)量。用戶可使用下面的指南設(shè)計(jì)一個(gè) PCB，實(shí)現(xiàn)出色的電壓轉(zhuǎn)換性能、熱性能，并更大程度地減小不必要 EMI 的產(chǎn)生。
- 首先在電路板上安裝 Q1、D1 和 RS 元件。
- 對(duì) COUT 使用小型陶瓷電容器。
- 使開(kāi)關(guān)環(huán)路（COUT 至 D1 至 Q1 至 RS 至 COUT）盡可能小。
- 在 D1 二極管附近留出覆銅區(qū)以用于散熱。
- 將器件放在靠近 RS 電阻的位置。
- 將 CVCC 電容器放在 VCC 和 PGND 引腳之間盡可能靠近器件的位置。
- 使用寬而短的跡線將 PGND 引腳直接連接到檢測(cè)電阻的中心。
- 將 CS 引腳連接到檢測(cè)電阻的中心。如有必要，請(qǐng)使用過(guò)孔。
- 在 CS 引腳和電源接地跡線之間連接一個(gè)濾波電容器。
- 將 COMP 引腳連接到補(bǔ)償元件（RCOMP 和 CCOMP）。
- 將 CCOMP 電容器連接到電源接地跡線。
- 將 AGND 引腳直接連接到模擬接地層。將 AGND 引腳連接到 RUVLOB、RT、CSS 和 RFBB 元件。
- 將外露焊盤(pán)連接到器件下方的 AGND 和 PGND 引腳。
- 將 GATE 引腳連接到 Q1 FET 的柵極。如有必要，請(qǐng)使用過(guò)孔。
- 使開(kāi)關(guān)信號(hào)環(huán)路（GATE 至 Q1 至 RS 至 PGND 至 GATE）盡可能小。
- 在外露焊盤(pán)下方添加多個(gè)過(guò)孔，以幫助器件散熱。將過(guò)孔連接到底層上的大接地層。