ZHCSMW8D October 2020 – July 2024 TMUX7211 , TMUX7212 , TMUX7213
PRODUCTION DATA
閂鎖是在電源引腳和接地之間創(chuàng)建低阻抗路徑的情況。這種情況由觸發(fā)器（電流注入或過壓）引起，一旦激活，即使觸發(fā)器不再存在，低阻抗路徑也仍然存在。該低阻抗路徑可能會因電流電平過高而導致系統(tǒng)混亂或巨大損壞。閂鎖情況通常需要下電上電來消除低阻抗路徑。
TMUX721x 系列器件采用基于絕緣體硅 (SOI) 的工藝制造，在每個 CMOS 開關的 PMOS 和 NMOS 晶體管之間添加了氧化層，用于防止形成寄生結構。氧化層也稱為絕緣溝道，可防止因過壓或電流注入而觸發(fā)閂鎖事件。閂鎖效應抑制使得 TMUX721x 系列開關和多路復用器能夠在惡劣的環(huán)境中使用。請參閱使用閂鎖效應抑制多路復用器幫助改善系統(tǒng)可靠性，了解有關閂鎖效應抑制的更多信息。