ZHCSMW8D October 2020 – July 2024 TMUX7211 , TMUX7212 , TMUX7213
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUM|16
訂購(gòu)信息
8.3.7 超低電荷注入
圖 8-1 顯示了 TMUX721x 器件的傳輸門(mén)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會(huì)在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)或閉合時(shí)導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。
圖 8-1 傳輸門(mén)拓?fù)?/span>TMUX721x 包含可減少漏極 (Dx) 電荷注入的專用架構(gòu)。為了進(jìn)一步減少敏感應(yīng)用中的電荷注入，可以在源極 (Sx) 上添加補(bǔ)償電容器 (Cp)。這將確保開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的多余電荷被推入源極 (Sx) 而非漏極 (Dx) 上的補(bǔ)償電容器。一般來(lái)說(shuō)，Cp 應(yīng)比漏極 (Dx) 上的等效負(fù)載電容大 20 倍。圖 8-2 展示了源極側(cè)不同補(bǔ)償電容器的電荷注入變化。該圖是在 TMUX72xx 系列中的 TMUX7219M 上捕獲的，負(fù)載電容為 100pF。
圖 8-2 電荷注入補(bǔ)償