ZHCSMW8D October 2020 – July 2024 TMUX7211 , TMUX7212 , TMUX7213
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUM|16
訂購信息
8.3.7 超低電荷注入
圖 8-1 顯示了 TMUX721x 器件的傳輸門拓撲結構。與 NMOS 和 PMOS 相關的雜散電容中的任何不匹配都會在開關斷開或閉合時導致輸出電平發(fā)生變化。
圖 8-1 傳輸門拓撲TMUX721x 包含可減少漏極 (Dx) 電荷注入的專用架構。為了進一步減少敏感應用中的電荷注入，可以在源極 (Sx) 上添加補償電容器 (Cp)。這將確保開關轉換產(chǎn)生的多余電荷被推入源極 (Sx) 而非漏極 (Dx) 上的補償電容器。一般來說，Cp 應比漏極 (Dx) 上的等效負載電容大 20 倍。圖 8-2 展示了源極側不同補償電容器的電荷注入變化。該圖是在 TMUX72xx 系列中的 TMUX7219M 上捕獲的，負載電容為 100pF。
圖 8-2 電荷注入補償