為了改進設計的開關特性和效率，必須遵循以下布局規(guī)則。
- 將驅(qū)動器盡可能靠近 MOSFET 放置。
- 將 VDD-VSS 和 VHB-VHS（自舉）電容器盡可能靠近器件放置。
- 密切注意 GND 布線。通過將 DRM 封裝的散熱焊盤連接到 VSS 引腳 (GND)，將其用作 GND。驅(qū)動器的 GND 布線直接連接到 MOSFET 的源極，但不得位于 MOSFET 漏極或源極電流的高電流路徑中。
- 對 HS 節(jié)點使用與高側驅(qū)動器的 GND 類似的規(guī)則。
- 對于使用多個 UCC27311A-Q1 器件的系統(tǒng)，TI 建議將專用去耦電容器放置在每個器件的 VDD-VSS 處。
- 必須注意避免將 VDD 布線放置在靠近 LO、HS 和 HO 信號的地方。
- 密切按照 GND 或 HS 布線，對 LO 和 HO 使用寬布線。在可能的情況下，最好使用 60mil 至 100mil 的寬度。
- 如果驅(qū)動器輸出或 SW 節(jié)點必須從一層布線到另一層，請使用至少兩個或兩個以上過孔。對于 GND，過孔的數(shù)量必須考慮散熱焊盤要求以及寄生電感。
- 避免 LI 和 HI（驅(qū)動器輸入）靠近 HS 節(jié)點或任何其他高 dV/dT 布線，因為這些布線會在阻抗相對較高的引線中引入顯著的噪聲。
布局不佳會導致效率顯著降低或系統(tǒng)故障，甚至會導致整個系統(tǒng)的可靠性降低。