ZHCS907A May 2012 – December 2014 UCC27518 , UCC27519
PRODUCTION DATA.
UCC27518 和 UCC27519 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關(guān)。 UCC27518 和 UCC27519 采用的設(shè)計方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的傳播延遲(典型值為 17ns)。
當(dāng) VDD = 12V 時,UCC27518 和 UCC27519 可提供峰值為 4A 的灌/拉(對稱驅(qū)動)電流驅(qū)動能力。
UCC27518 和 UCC27519 具有 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍,以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 當(dāng)超出 VDD 工作范圍時,VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路可使輸出保持低電平。 該器件不僅能夠工作在低于 5V 的低電壓下,還具備同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性,因此非常適用于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。
器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(標(biāo)稱值) |
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UCC27518 | SOT-23 (5) | 2.90mm x 1.60mm |
UCC27519 |