ZHCAAD9A April 2020 – June 2021 LM3668 , TPS63000 , TPS63000-Q1 , TPS63001 , TPS63002 , TPS63010 , TPS63011 , TPS63020 , TPS63020-Q1 , TPS63021 , TPS63024 , TPS630241 , TPS630242 , TPS630250 , TPS630251 , TPS630252 , TPS63027 , TPS63030 , TPS63031 , TPS63036 , TPS63050 , TPS63051 , TPS63060 , TPS63061 , TPS63070 , TPS63802 , TPS63805 , TPS63806 , TPS63810 , TPS63811 , TPS63900 , TPS63901
圖 2-1 突出顯示了同相降壓/升壓轉(zhuǎn)換器中的主要 EMI 源。
第一個(gè) EMI 源是位于輸入電容器 (CIN) 和 SW2 之間的熱回路。負(fù)責(zé) EMI 的第二個(gè)回路是位于輸出電容器 (COUT) 和 SW3 之間的回路?;芈钒l(fā)生情況取決于轉(zhuǎn)換器工作模式。在圖 2-1 中,左側(cè)回路在降壓模式運(yùn)行期間存在,而最右側(cè)回路在升壓模式運(yùn)行期間存在。由于開關(guān)邏輯,這些回路的電流隨時(shí)間的變化率 (di/dt) 會(huì)很高??紤]到電容器的等效串聯(lián)電感 (ESL) 和電感器上的電壓方程Equation1,可以看出這些熱回路會(huì)產(chǎn)生不需要的電壓 (vL)。
開關(guān)節(jié)點(diǎn) L1 和 L2 是另一個(gè) EMI 源。根據(jù)運(yùn)行模式(L1 表示降壓,L2 表示升壓),這些節(jié)點(diǎn)的電壓隨時(shí)間的變化率 (dv/dt) 會(huì)很高。電壓的變化會(huì)在電容器中產(chǎn)生不需要的電流,如Equation2 所示。請記住,電感器繞組之間會(huì)產(chǎn)生電容,可能發(fā)生寄生電流 (i2C)。
除了電感器的寄生電容,節(jié)點(diǎn)和接地層之間還存在另一個(gè)電容。該電容由Equation3 描述,在很大程度上受到節(jié)點(diǎn)所在的層與最近的接地層之間的距離 (d) 以及平行板 (A) 區(qū)域的影響。ε0 和 εr 是自由空間的介電常數(shù) (ε0=8.85pF/m) 和兩個(gè)板之間介質(zhì)的相對介電常數(shù)。
以下部分將介紹經(jīng)測試可減少輻射的解決方案。所提議的解決方案伴隨著可證明其有效性的測量。此類測量是根據(jù)Topic Link Label7中引用的 CISPR 16-2-3 標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定進(jìn)行的。