ZHCABL9A February 2015 – April 2022 ESD401 , TPD12S015 , TPD12S015A , TPD12S016 , TPD12S520 , TPD12S521 , TPD13S523 , TPD1E05U06 , TPD1E10B06 , TPD1E10B09 , TPD1S414 , TPD1S514 , TPD2E001 , TPD2E001-Q1 , TPD2E009 , TPD2E1B06 , TPD2E2U06-Q1 , TPD2EUSB30 , TPD2S017 , TPD3S014 , TPD3S044 , TPD4E001-Q1 , TPD4E004 , TPD4E02B04 , TPD4E05U06 , TPD4E05U06-Q1 , TPD4E101 , TPD4E1U06 , TPD4E6B06 , TPD4EUSB30 , TPD4F202 , TPD4S010 , TPD4S014 , TPD4S1394 , TPD4S214 , TPD5S115 , TPD5S116 , TPD6E004 , TPD6E05U06 , TPD6F002-Q1 , TPD6F003 , TPD6F202 , TPD7S019 , TPD8E003 , TPD8F003
在受控 RLC 值以外,PCB 具有固有的寄生效應,對整體電路板性能有益。通常,這種寄生效應對于設計的功能不利。在設計耗除 ESD 的電路時,電感是需要考慮的重要寄生因素。因為(參閱下文“注釋 1”)VESD = Vbr_TVS + RDYN(TVS)IESD + L(dIESD/dt),且術語dIESD/dt 非常大,ESD 事件中的強制電流將導致任何電感上的大電壓下降。例如,在 IEC 61000-4-2 指定的 8kV ESD 事件中,dIESD/dt = (30A)/(0.8×10-9s) = 4 × 1010A/s。所以即便只有 0.25nH 的電感,也會給系統(tǒng)帶來額外的 10V 電壓。
圖 2-1 中顯示了四個寄生電感器:L1 和 L2 是 ESD 源(通常是一個連接器)和 TVS 之間電路中的電感,L3 是 TVS 和接地端之間的電感,L4 是 TVS 和受保護 IC 之間的電感。在不考慮過孔的情況下,電感器 L1 和 L4 通常取決于設計約束,如阻抗控制的信號線。然而,通過使 L4 遠大于 L1, IESD 仍可以“轉向”到 TVS。通過在 PCB 設計規(guī)則允許的情況下將 TVS 布放到接近到 ESD 源的位置,同時使受保護 IC 遠離 TVS(例如接近 PCB 中間)來實現(xiàn)這一點。這可以有效產生 L4 >> L1 的效果,幫助將 IESD 分流到 TVS??拷B接器布放 TVS 也會減輕輻射進系統(tǒng)中的 EMI。在設計良好的系統(tǒng)中, L2 處的電感器是不應該存在的。這表示 TVS 和受保護線路之間存在殘樁。應避免這種設計做法。受保護線路應直接從 ESD 源連接到 TVS 的引腳,理想情況是路徑上沒有過孔。L3 處的電感器表示 TVS 和接地端之間的電感。該電感值應盡可能地降低,并且可能是影響 VESD 的最主要寄生效應。提供給“受保護線路”節(jié)點的電壓將為 VESD = Vbr_TVS + IESDRDYN(TVS) + (L2 + L3)(dIESD/dt)。因此 PCB 設計人員需要盡可能減少 L3 并消除 L2。盡可能減少 L3 的方法在Topic Link Label2.4 中進行了介紹。盡可能減少 L1 的方法在Topic Link Label2.2 和Topic Link Label2.3 中進行了介紹。