ZHCABP4 May 2022 AM623 , AM625
AM62x 處理器支持具有不同功率耗散水平的優(yōu)化低功耗模式:部分 I/O 模式、Deepsleep 模式再到待機(jī)模式(亞 mW 到幾 mW)。表 2-2 顯示了 AM62x 處理器上支持的各種低功耗模式的高電平說明。
低功耗模式 | 喚醒源 | 應(yīng)用狀態(tài)和用例 |
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部分 I/O | CANUART I/O 庫(kù)引腳 | 除了 CANUART I/O 庫(kù)中的 I/O 引腳外,,整個(gè) SoC 都處于關(guān)閉狀態(tài),以保持 CANUART I/O 庫(kù) I/O 引腳的 I/O 喚醒能力。 |
DeepSleep | GP 計(jì)時(shí)器、RTC 計(jì)時(shí)器、UART、I2C、MCU GPIO0、I/O 菊花鏈、USB 喚醒事件 | 內(nèi)核域寄存器信息將丟失。在進(jìn)入該模式之前,需要應(yīng)用程序?qū)?nèi)核域的片上外設(shè)寄存器(上下文)信息保存到 DDR。DDR 處于自更新狀態(tài)。引導(dǎo) ROM 執(zhí)行并分支到外設(shè)上下文恢復(fù)以進(jìn)行喚醒,然后是系統(tǒng)恢復(fù)。此模式主要用于“掛起至 RAM”以延長(zhǎng)電池壽命或執(zhí)行備份操作。 |
僅 MCU | DeepSleep 喚醒事件,MCU 通道支持中斷事件 | MCU 子系統(tǒng)在 MCU PLL 時(shí)鐘上運(yùn)行。SoC 狀態(tài)的其余部分與 DeepSleep 相同。DDR 處于自更新狀態(tài)。在這種低功耗模式下,MCU 可以使用 MCU 域外設(shè)運(yùn)行應(yīng)用程序。 |
待機(jī) | 任何 SoC 中斷事件 | 片上內(nèi)容被完全保留。任何 SoC 中斷事件都可能導(dǎo)致從此各低功耗模式中喚醒事件。A53 和 MCU M4F 處于 WFI 或斷電狀態(tài)。DDR 存儲(chǔ)器處于自更新狀態(tài)。該器件可以使用非喚醒/MCU 域外設(shè)運(yùn)行低級(jí)處理,并支持從這些外設(shè)喚醒。 |
部分 I/O:CANUART I/O 庫(kù)中的 I/O 引腳和小型邏輯處于活動(dòng)狀態(tài),而 SoC 的其余部分則關(guān)閉。用戶可以使用 I/O 引腳來聚合多個(gè) I/O 喚醒事件,并在觸發(fā) I/O 喚醒事件時(shí)切換 PMIC_LPM_EN 引腳以啟用 PMIC 或離散電源解決方案。I/O 喚醒事件的信息記錄在 CANUART I/O 庫(kù)的 MMR 中,幫助軟件區(qū)分冷啟動(dòng)和喚醒以更快地響應(yīng)喚醒事件。該模式可用于支持 CAN 喚醒或以太網(wǎng)喚醒。
DeepSleep:DeepSleep 模式比待機(jī)模式或僅 MCU 模式的功耗更低。當(dāng)用戶在等待需要處理或更高性能的事件時(shí)需要非常低的功耗,通常在不活動(dòng)期間使用DeepSleep 模式。DeepSleep 是最低功耗模式,它仍然包括 DDR 自更刷新,因此喚醒事件不需要完全冷啟動(dòng),顯著縮短了喚醒延遲。當(dāng)不需要 RTC 或其他計(jì)時(shí)器功能時(shí),可以通過禁用兩個(gè)振蕩器來實(shí)現(xiàn)此模式下的最低功耗。
僅 MCU:僅 MCU 可用于在低功耗模式下需要低電平處理的低功耗用例。SoC 的狀態(tài)與 DeepSleep 相同,只是 MCU 通道完全處于活動(dòng)狀態(tài),以使用 MCU 通道資源和外設(shè)運(yùn)行應(yīng)用程序。MCU 通道中的任何中斷事件都可以從僅 MCU 模式中喚醒,DeepSleep 中支持的喚醒事件也可以從僅 MCU 模式中觸發(fā)喚醒。
待機(jī):該器件可以置于待機(jī)模式以在低活動(dòng)電平期間降低功耗。第一級(jí)電源管理允許您維護(hù)器件上下文以實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)時(shí)間。待機(jī)狀態(tài)的功耗比活動(dòng)模式的功耗低,但需要用戶將關(guān)閉的電源域上下文保存到片上存儲(chǔ)器或 DDR,并在喚醒時(shí)恢復(fù)上下文以正確恢復(fù)。