ZHCABW8A June 2020 – November 2022 LM5156 , LM5156-Q1 , LM51561 , LM51561-Q1 , LM51561H , LM51561H-Q1 , LM5156H , LM5156H-Q1
3.13 效率估算
升壓轉(zhuǎn)換器的總損耗 (PTOTAL) 可表示為以下?lián)p耗之和：器件中的損耗 (PIC)、MOSFET 功率損耗 (PQ)、二極管功率損耗 (PD)、電感器功率損耗 (PL) 和檢測電阻中的損耗 (PRS)。
PIC 可分為柵極驅(qū)動損耗 (PG) 和靜態(tài)電流導(dǎo)致的損耗 (PIQ)。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
關(guān)于各模式下的 IBIAS 值，請參閱 LM5156 數(shù)據(jù)表。
PQ 可分為開關(guān)損耗 (PQ(SW)) 和導(dǎo)通損耗 (PQ(COND))。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
tR 和 tF 是低側(cè) N 溝道 MOSFET 器件的上升時間和下降時間。ISUPPLY 是升壓轉(zhuǎn)換器的輸入電源電流。
RDS(on) 是 MOSFET 數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 MOSFET 導(dǎo)通電阻。應(yīng)考慮自發(fā)熱導(dǎo)致的 RDS(on) 增加。
PD 可以分為二極管導(dǎo)通損耗 (PVF) 和反向恢復(fù)損耗 (PRR)。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
QRR 是二極管的反向恢復(fù)電荷，會在二極管數(shù)據(jù)表中指定。二極管的反向恢復(fù)特性對效率有很大影響，在高負載電壓下尤其如此。
PL 是 DCR 損耗 (PDCR) 和交流磁芯損耗 (PAC) 之和。DCR 是電感器數(shù)據(jù)表中提到的電感器直流電阻。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
?I 是峰峰值電感器電流紋波。K、α 和 β 是磁芯相關(guān)因素、可由電感器制造商提供。
PRS 的計算公式如下：
電源轉(zhuǎn)換器的效率可按照如下方式進行估計：
