2 選擇器件

通常，對(duì)于汽車高壓輸入反激式電源設(shè)計(jì)，應(yīng)當(dāng)在盡可能降低成本的基礎(chǔ)上優(yōu)化所有元件額定值，而又不能違背爬電距離和間隙規(guī)則。例如，使用一個(gè)較大的大容量輸入電容器也許可行，但使用多個(gè)較小的電容器可能更便宜或尺寸更小。大型元件也可能具有較大的寄生電容，這會(huì)使符合 EMI 法規(guī)要求變得更加困難。

許多因素都會(huì)影響變壓器和 EMI 濾波電感器等磁性元件的設(shè)計(jì)和選擇。磁性元件對(duì)于隔離式拓?fù)溆绕渲匾?，因?yàn)樗鼈冊(cè)诖_定整體系統(tǒng)性能方面發(fā)揮著重要作用。首先，這些元件必須設(shè)計(jì)為能夠以足夠的裕度適應(yīng)峰值和均方根電流，并且符合汽車產(chǎn)品的隔離要求。然后，必須考慮形狀和磁芯類型以優(yōu)化磁通密度。最后，必須選擇繞組和端接結(jié)構(gòu)。磁性元件設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的迭代過(guò)程。通常建議與可提供自定義解決方案的外部供應(yīng)商合作。

在選擇功率器件時(shí)，必須考慮最大輸入電壓。對(duì)于 400V 電池系統(tǒng)，可以使用硅或氮化鎵 FET。對(duì)于 800V 電池系統(tǒng)，碳化硅 (SiC) MOSFET 由于具有快速開關(guān)和高電壓額定值（通常為 900V 或更高），變得越來(lái)越受歡迎。在任一種情況下，具有適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)強(qiáng)度都可確保整個(gè)壽命期的可靠性。

反激式控制器中集成的硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可能無(wú)法直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET。在這些情況下，建議使用外部柵極驅(qū)動(dòng)器電路或 UCC27531A-Q1 等低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。

必須仔細(xì)考慮反激式控制器的 UVLO 關(guān)斷閾值。對(duì)于 SiC 應(yīng)用，建議使用大于 8V 的 UVLO 關(guān)斷電壓，來(lái)確保 SiC MOSFET 的壽命可靠性。低于 8V 的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)導(dǎo)致功率器件在飽和區(qū)域運(yùn)行，從而導(dǎo)致高導(dǎo)通損耗和發(fā)熱。但是，硅 MOSFET 通常支持低于 8V 的驅(qū)動(dòng)電壓。