1 引言

與霍爾效應(yīng)、巨磁阻 (GMR) 和隧道磁阻元件 (TMR) 不同，各向異性磁阻 (AMR) 傳感元件沒(méi)有與靈敏度方向上所施加磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例的輸出電壓。相反，AMR 感應(yīng)顯示了與所施加磁場(chǎng)矢量方向相關(guān)的電阻變化。

圖 1-1 表明，當(dāng)施加的磁場(chǎng)與流經(jīng)感應(yīng)元件的電流平行時(shí)，阻抗不會(huì)產(chǎn)生變化。然而，如果施加的磁場(chǎng)與感應(yīng)元件正交，則阻抗變化會(huì)達(dá)到最大飽和點(diǎn)（圖 1-2）。

例如，假設(shè)電阻元件暴露在振蕩的磁場(chǎng)中，那么 AMR 電阻率產(chǎn)生的行為遵循方程式 1 中的表達(dá)式。