與霍爾效應、巨磁阻 (GMR) 和隧道磁阻元件 (TMR) 不同，各向異性磁阻 (AMR) 傳感元件沒有與靈敏度方向上所施加磁場強度成比例的輸出電壓。相反，AMR 感應顯示了與所施加磁場矢量方向相關的電阻變化。
圖 1-1 AMR 標稱阻抗校準
圖 1-2 AMR 降低阻抗校準圖 1-1 表明，當施加的磁場與流經感應元件的電流平行時，阻抗不會產生變化。然而，如果施加的磁場與感應元件正交，則阻抗變化會達到最大飽和點（圖 1-2）。
例如，假設電阻元件暴露在振蕩的磁場中，那么 AMR 電阻率產生的行為遵循方程式 1 中的表達式。
方程式 1.
