ZHCAE23C May 2024 – June 2025 ADC08D1520QML-SP , ADC10D1000QML-SP , ADC128S102QML-SP , ADC12D1600QML-SP , ADC12D1620QML-SP , ADC12DJ3200QML-SP , ADC12DJ5200-SP , ADC12QJ1600-SP , ADC14155QML-SP , ADS1278-SP , ADS1282-SP , ADS5400-SP , ADS5424-SP , ADS5444-SP , ADS5463-SP , ADS5474-SP , AM26LS33A-SP , CDCLVP111-SP , CDCM7005-SP , DAC121S101QML-SP , DAC5670-SP , DAC5675A-SP , DP83561-SP , DS16F95QML-SP , DS26F31MQML-SP , DS26F32MQML-SP , DS90C031QML-SP , DS90C032QML-SP , DS90LV031AQML-SP , DS90LV032AQML-SP , DS96F174MQML-SP , DS96F175MQML-SP , INA901-SP , LF198JAN-SP , LF198QML-SP , LF411QML-SP , LM111QML-SP , LM117HVQML-SP , LM117QML-SP , LM119QML-SP , LM124-SP , LM124AQML-SP , LM136A-2.5QML-SP , LM137JAN-SP , LM137QML-SP , LM139-SP , LM139AQML-SP , LM148JAN-SP , LM158QML-SP , LM185-1.2QML-SP , LM185-2.5QML-SP , LM193QML-SP , LM2940QML-SP , LM2941QML-SP , LM4050QML-SP , LM6172QML-SP , LM7171QML-SP , LM723JAN-SP , LM98640QML-SP , LMH5401-SP , LMH5485-SP , LMH6628QML-SP , LMH6702QML-SP , LMH6715QML-SP , LMK04832-SP , LMP2012QML-SP , LMP7704-SP , LMX1906-SP , LMX2615-SP , LP2953QML-SP , MSP430FR5969-SP , OPA4277-SP , SE555-SP , SMJ320C6701-SP , SMV320C6727B-SP , SN54AC00-SP , SN54AC02-SP , SN54AC14-SP , SN54AC244-SP , SN54AC245-SP , SN54AC373-SP , SN54AC74-SP , SN54ACT04-SP , SN54ACT244-SP , SN54ACT245-SP , SN54ACT373-SP , SN54ACT374-SP , SN54AHC244-SP , SN54AHC245-SP , SN54AHCT08-SP , SN54AHCT14-SP , SN54ALS244C-SP , SN54HC00-SP , SN54HC02-SP , SN54HC04-SP , SN54HC08-SP , SN54HC10-SP , SN54HC109-SP , SN54HC11-SP , SN54HC132-SP , SN54HC138-SP , SN54HC139-SP , SN54HC14-SP , SN54HC153-SP , SN54HC157-SP , SN54HC161-SP , SN54HC164-SP , SN54HC166-SP , SN54HC20-SP , SN54HC244-SP , SN54HC245-SP , SN54HC273-SP , SN54HC32-SP , SN54HC373-SP , SN54HC374-SP , SN54HC573A-SP , SN54HC595-SP , SN54HC74-SP , SN54HCT04-SP , SN54HCT244-SP , SN54HCT245-SP , SN54HCT373-SP , SN54LS00-SP , SN54LS02-SP , SN54LS04-SP , SN54LS08-SP , SN54LS10-SP , SN54LS123-SP , SN54LS138-SP , SN54LS139A-SP , SN54LS14-SP , SN54LS145-SP , SN54LS161A-SP , SN54LS164-SP , SN54LS165A-SP , SN54LS193-SP , SN54LS240-SP , SN54LS244-SP , SN54LS245-SP , SN54LS26-SP , SN54LS273-SP , SN54LS32-SP , SN54LS373-SP , SN54LS393-SP , SN54LS74A-SP , SN54LVC00A-SP , SN54LVC138A-SP , SN54LVC14A-SP , SN54LVC646A-SP , SN54LVC74A-SP , SN54LVCH244A-SP , SN54LVCH245A-SP , SN54LVTH162244-SP , SN54LVTH162245-SP , SN54LVTH162373-SP , SN54LVTH162374-SP , SN54LVTH16244A-SP , SN54LVTH16245A-SP , SN54LVTH244A-SP , SN54LVTH245A-SP , SN54LVTH574-SP , SN55182-SP , SN55183-SP , SN55HVD233-SP , SN55LVCP22-SP , SN55LVCP22A-SP , SN55LVDS31-SP , SN55LVDS32-SP , SN55LVDS33-SP , THS4304-SP , THS4511-SP , THS4513-SP , TL1431-SP , TLC2201-SP , TLK2711-SP , TMP461-SP , TMP9R00-SP , TPS50601-SP , TPS50601A-SP , TPS7A4501-SP , TPS7H1101A-SP , TPS7H1111-SP , TPS7H1121-SP , TPS7H2201-SP , TPS7H2211-SP , TPS7H3014-SP , TPS7H3301-SP , TPS7H3302-SP , TPS7H4001-SP , TPS7H4002-SP , TPS7H4011-SP , TPS7H5001-SP , TPS7H5002-SP , TPS7H5003-SP , TPS7H5004-SP , TPS7H6003-SP , TPS7H6013-SP , TPS7H6023-SP , TRF0206-SP , UC1525B-SP , UC1611-SP , UC1625-SP , UC1637-SP , UC1705-SP , UC1707-SP , UC1708-SP , UC1709-SP , UC1710-SP , UC1715-SP , UC1823A-SP , UC1825A-SP , UC1825B-SP , UC1832-SP , UC1834-SP , UC1842-SP , UC1842A-SP , UC1843-SP , UC1843A-SP , UC1843B-SP , UC1844-SP , UC1844A-SP , UC1845-SP , UC1845A-SP , UC1846-SP , UC1856-SP , UC1863-SP , UC1875-SP , UC1901-SP , UC19432-SP , UCC1806-SP
MIL-PRF-38535 是針對(duì)密封封裝和非密封封裝集成電路的軍用規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。該規(guī)格涵蓋航空航天和國(guó)防應(yīng)用的通用制造要求、質(zhì)量要求和可靠性要求。目標(biāo)是在這些高可靠性場(chǎng)景中為質(zhì)量和性能建立工藝流程基準(zhǔn)。德州儀器 (TI) 制定了 QML 產(chǎn)品的規(guī)格和要求，以滿足根據(jù) MIL-PRF-38535 定義的質(zhì)量水平。表 1 中列出了 TI 提供的和 DLA 商定的 QML 優(yōu)化。
N 類 – 產(chǎn)品已接受 MIL-PRF-38535 測(cè)試并滿足其所有適用要求，包括 TI 定義的鑒定測(cè)試、篩選測(cè)試以及技術(shù)合格檢驗(yàn)和質(zhì)量合格檢驗(yàn) (TCI/QCI)，并且采用塑料封裝（TI 提供）。
V 類 – 產(chǎn)品已接受 MIL-PRF-38535 測(cè)試并滿足其所有適用要求，包括鑒定測(cè)試、篩選測(cè)試以及 TCI/QCI 檢驗(yàn)，并且已接受表 1 中 MIL-PRF-38535 測(cè)試并滿足其所有適用要求（TI 提供）。
P 類 – 非密封塑料封裝微電路 (PEM)，符合 MIL-PRF-38535 的所有適用要求，包括鑒定、篩選和 TCI/QCI 檢驗(yàn)以及表 1 中的所有適用要求（TI 提供）。
Y 類 – 采用非密封封裝的微電路，符合 MIL-PRF-38535 的所有適用要求，包括鑒定、篩選和 TCI/QCI 檢驗(yàn)以及表 1 中的所有適用要求（TI 提供）。
Q 類 – 產(chǎn)品已接受 MIL-PRF-38535 測(cè)試并滿足其所有適用要求，包括鑒定測(cè)試、篩選測(cè)試和 TCI/QCI 檢驗(yàn)（TI 提供）。
| 制造商 | 規(guī)格 | 測(cè)試優(yōu)化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | D-8，無蓋子扭矩（所有 Cerdip、Cerflat 玻璃密封封裝，所有類別） | 1993 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 避免了 100% 老化處理（所有 TTL、LS、STTL 產(chǎn)品系列。所有封裝配置。） 僅限 B/Q 級(jí) |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了恒定加速（采用 8、14、16、20 引腳 DIP 封裝的所有產(chǎn)品） 僅限 B/Q 級(jí) |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了溫度循環(huán)（采用 8、14、16、20 引腳 DIP 封裝的所有產(chǎn)品） | 1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了 100% 高放大率檢查（TTL、LS、STTL、ALS HCMOS、F、AS 和 55 系列產(chǎn)品線。所有封裝配置） 僅限 B/Q 級(jí) |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了對(duì)某些線性產(chǎn)品的 100% 老化處理（如需特定線性產(chǎn)品，請(qǐng)聯(lián)系 TI 或 DLA 陸地和海上維護(hù)） 僅限 B/Q 級(jí) |
1994 年 9 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了對(duì) alpha V10、alpha I10 的組 A 采樣測(cè)試和對(duì)某些線性產(chǎn)品的各種噪聲測(cè)試（如需特定線性產(chǎn)品，請(qǐng)聯(lián)系 TI 或 DLA 陸地和海上維護(hù)） | 1994 年 9 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 最終電氣，25°C（消除了 ALS、AS、FAST、54ABT32316 父器件類型） 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 11 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 老化處理（HCMOS、所有封裝） 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 2 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 老化處理 (ALS、AS、FAST) 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 文讀循環(huán)（所有 CPAK） 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 恒定加速（所有 CPAK） 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% -55°C 篩選和 A 組（HC 和 HCT） 僅限 B/Q 級(jí) |
1995 年 3 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100%-55°C 篩選 (ABT、AC、ACT、BCT) 僅限 B/Q 級(jí) |
1996 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
減少了對(duì) 4 Meg DRAM 的老化處理 僅限 B/Q 級(jí) |
1996 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了物理尺寸 (D1)、耐濕性 (D3)、絕緣電阻 (D3)（適用于臺(tái)灣和新加坡工廠的所有陶瓷封裝） | 1996 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類、P 類、Y 類 消除了讀取和記錄數(shù)據(jù) |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 X 射線（僅監(jiān)控玻璃冰箱密封件） |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 消除了無損鍵合拉力 |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 消除了所有倒裝芯片上的 PIND 和離心 |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了 100% 老化處理（選定 DSP/MCU） 僅限 B/Q 級(jí) |
1996 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了 100% -55°C 篩選（選定 DSP/MCU） 僅限 B/Q 級(jí) |
1998 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了焊接蓋器件上的 100% X 射線 | 2007 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 1 V 類 36 周窗口內(nèi)按封裝系列作為 Generic Group D QCI 的一部分執(zhí)行的物理尺寸和內(nèi)部水汽實(shí)驗(yàn) |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 2 V 類 對(duì)于溶劑的耐受性、鍵合強(qiáng)度和模具剪切是按照封裝系列進(jìn)行的通用 B 組 QCI 的一部分，每周進(jìn)行一次密封。主體 38535 B 組。 100% 封蓋前檢查涵蓋內(nèi)部目視和機(jī)械檢查。 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 3 V 類 按封裝系列作為通用 B 組 QCI 的一部分進(jìn)行焊接能力檢查，每周密封一次。 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 4 V 類 36 周窗口內(nèi)按封裝系列作為通用組 D CQI 的一部分執(zhí)行鉛完整性和密封測(cè)試。 消除了針對(duì)所有封裝系列的蓋子扭矩測(cè)試 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 5 V 類 作為晶圓批次驗(yàn)收的一部分執(zhí)行的端點(diǎn)電氣、穩(wěn)態(tài)壽命和端點(diǎn)電氣測(cè)試 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | QCI B 組子組 6 V 類 在 36 周窗口內(nèi)按封裝系列作為通用 D 組 QCI 一部分執(zhí)行的終端電氣、溫度循環(huán)、持續(xù)加速、密封和終點(diǎn)電氣參數(shù)測(cè)試 |
2000 年 8 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS16F95 DS26F31 和 32 DS96F172 到 175 僅限 S/V 級(jí) 在方法 2018（SEM 檢查）中，對(duì)于方法 5007（晶圓批次驗(yàn)收），所需的金屬化橫截面面積的最小百分比從 50% 降低到 30% |
1997 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 僅限 S/V 級(jí)的所有器件型號(hào) 方法 5007 的 a. 和 c. 部分減少了從每個(gè)晶圓批次到預(yù)先指定的濺射金屬沉積系統(tǒng)維護(hù)事件（例如通風(fēng)等）的“熱穩(wěn)定性測(cè)試”（C-V 圖。） |
1999 年 10 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 金屬罐封裝（TO-3、5、39、46） | 1996 年 6 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) | |||
| M2001，無需再篩選恒定加速度 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 僅限 S/V 級(jí)的特定器件型號(hào) | 2006 年 11 月 |
| 根據(jù)方法 2030 執(zhí)行的超聲波檢查，而不是使用覆鎢散熱片對(duì)陶瓷封裝進(jìn)行放射成像 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS26LS31 僅限 B/Q 級(jí) | 2000 年 7 月 |
| 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM124 LM139 |
2000 年 8 月 2001 年 1 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM124、LM124A | 2002 年 10 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | JL111、LM111 | 2002 年 6 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM158 | 2002 年 11 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS96F173 和 175 | 2002 年 8 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | JL148、LM148 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
2002 年 11 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM139、LM139A 僅限 B/Q 級(jí) A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 |
2003 年 1 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 |
LM741 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
2003 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM136A 僅限 B/Q 級(jí) A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 可在老化處理之前執(zhí)行針對(duì) 25°C、-55°C、+125°C 和溫度系數(shù)測(cè)試的 LM136 篩選。 針對(duì) -55°C、125°C 的 LM148 篩選移至老化處理之前 |
2005 年 10 月 2006 年 5 月 2006 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM723 | 2003 年 11 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS26LS31 | 2005 年 12 月 |
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM117、JL117 | 2008 年 5 月 |
| LM119 | |||
| 僅限 B/Q 級(jí) 從檢驗(yàn)批次篩選到制造批次樣品的老化處理時(shí)間縮短。壽命測(cè)試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
| 制造商 | 規(guī)格 | 測(cè)試優(yōu)化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | TI 系統(tǒng)不支持第 3.1 節(jié)（第 13-14 頁）“塑料封裝的標(biāo)識(shí)”中所述的標(biāo)識(shí)。請(qǐng)遵循 TI 標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)識(shí)/編號(hào)法。實(shí)際的產(chǎn)品編號(hào)法可在 SMD 中進(jìn)行記錄。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 IA：篩選程序（第 20 頁） |
允許 1X 回流，以代替表 IA“TM1010 條件 B、-55/125C、15cy – 非標(biāo)準(zhǔn)流程”中的溫度循環(huán)。執(zhí)行 TC 時(shí)，必須符合 JESD22-A104 標(biāo)準(zhǔn)。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁）D3/TM1010 | 按照 JESD22- A104 執(zhí)行 TC，以便與附錄 H 和標(biāo)準(zhǔn)工廠規(guī)格保持一致。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/澄清 |
澄清： 根據(jù)以下條件之一執(zhí)行 UHAST： 130C，85%RH – 96 小時(shí) 110C，85%RH – 264 小時(shí)。 根據(jù)注釋 18 允許使用。 |
2023 年 8 月 |
| TI 可以針對(duì) QCI 執(zhí)行 UHAST 而非 BHAST。根據(jù) MIL-PRF-38535 允許使用。 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/澄清 |
澄清： TI 可以對(duì) UHAST 和 TC 使用不同的單元。根據(jù)注釋 17 允許使用的選項(xiàng)。 |
2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/耐濕性條件 |
耐濕性符合 JESD22-A118 非偏置 HAST 條件 A 或 B。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D7/鉛涂層粘附 |
TI 使用內(nèi)部程序 (QSS 009- 109)。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 A-III（第 80 頁） 涂層厚度 |
闡明了 NiPdAu 厚度。TI 器件滿足下方所示的 NiPdAu 厚度。 | 2023 年 8 月 |
| 鍍層厚度（微英寸/微米）： 最小 20/0.51 最大 NS |
|||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-I. 對(duì)包含無鉛凸點(diǎn)的覆晶封裝進(jìn)行封裝工藝技術(shù)測(cè)試 [第 196 頁] |
包含無鉛凸點(diǎn)的覆晶： | 2023 年 8 月 |
| 用以運(yùn)行 JESD22- A101 (THB) 或 A110（偏置 HAST）的偏置濕度選項(xiàng) 條件：
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| 熱沖擊不適用于有機(jī)基材。 | |||
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 A.3.5.5.2 內(nèi)部導(dǎo)線尺寸和材料 |
澄清： |
2024 年 10 月 |
| QML P 器件可以使用 0.96mil（0.00096 英寸）導(dǎo)線 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 A.3.5.1 |
塑料封裝本身使用有機(jī)或聚合材料（粘合劑、模塑化合物、填充材料、有機(jī)基材等）。 |
2025 年 4 月 |
| 密封封裝可以使用有機(jī)材料（例如：芯片/蓋貼裝和聚酰亞胺）。 | |||
| 器件規(guī)格中可能未指定材料。但是，材料已與資格認(rèn)證活動(dòng)共享。 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 A.3.5.5.2 |
塑料封裝內(nèi)部引線金屬與裸片金屬化金屬不同。內(nèi)部引線金屬為 Au，而芯片金屬化金屬可能不同（例如，Al、BOAC 或 METDCU）。 | 2025 年 4 月 |
| 制造商 | 規(guī)格 | 測(cè)試優(yōu)化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IA.采用密封封裝（Q 類、V 類）和非密封封裝（Y 類）的封裝工藝技術(shù)測(cè)試。[197-198] |
Q 類、V 類、Y 類（覆晶）： | 2023 年 8 月 |
| 最終封裝測(cè)試 高溫存儲(chǔ) TM 1008（在 +150°C 下為 1,000 小時(shí)）或 JESD 22 A103（在 +150°C 或等效溫度下為 1,000 小時(shí)）。 |
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| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IIA.采用密封封裝（Q 類、V 類）和非密封封裝（Y 類）的技術(shù)特性測(cè)試 [200-202] |
Q 類、V 類、Y 類（覆晶）： | 2023 年 8 月 |
| 組 2： a. 熱沖擊（不適用） b. 溫度循環(huán) TM 1010，條件 C，100 個(gè)周期或 JESD22-A104 c. HAST（偏置）JESD22-A110 或 THB JESD22-A101 d. 目視檢查 TM 1010 和 TM 1004 目視標(biāo)準(zhǔn) e. 不適用 |
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| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IB.對(duì)于塑料封裝的封裝工藝技術(shù)測(cè)試（N 類、P 類） |
N 類、P 類： | 2023 年 8 月 |
| 第 3 組：根據(jù)以下某項(xiàng)進(jìn)行溫度循環(huán)： | |||
| - 55/125C，700 周期（產(chǎn)品發(fā)布）、1000 周期（技術(shù)發(fā)布）或 -65/150C、500 周期（產(chǎn)品發(fā)布）、1000 周期（技術(shù)發(fā)布）。 | |||
| 第 5 組高溫 根據(jù) JESD 22 A103 執(zhí)行的存儲(chǔ) 烘烤 150°C、1,000 小時(shí)或等效溫度。 |
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| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IIB.采用塑料封裝（N 類、P 類）的技術(shù)特性測(cè)試 |
N 類、P 類： |
2023 年 8 月 |
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第 2 組符合制造商規(guī)范或 JEDEC JSTD- 020/ JESD 22-A113 的濕敏等級(jí) |
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| 第 3 組 b. 偏置 HAST（130C/85%RH/96，192 小時(shí)）或（110C/85% RH/264，528 小時(shí)）或（85C/85%RH/1,000，2,000 小時(shí)），符合 JESD22-A110/JESD22-A101 |
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| 第 6 組鉛完整性 - 對(duì)于塑料封裝，TI 使用內(nèi)部測(cè)試方法 QSS 009-134。TM 不適用于塑料封裝。對(duì)于修整和外形引線式封裝，根據(jù)測(cè)試方法 2004 第 3.2 節(jié)，這不適用 | |||
| 第 7 組 - 可以按照 J-STD-020/JESD 22-A113 執(zhí)行 MSL 測(cè)試，而不是這個(gè)測(cè)試。 | |||
| 第 9 組 - 不執(zhí)行真菌測(cè)試。 | |||
| 第 12 組 – 基于建模的熱特性。 |
| 制造商 | 規(guī)格 | 測(cè)試優(yōu)化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-STD-883 TM 5007 |
批準(zhǔn)的替代嵌入式方法記錄晶圓批次驗(yàn)收要求的讀數(shù)： 片電阻嵌入式測(cè)量（#2 金屬化厚度） 氧化物/氮化物嵌入式測(cè)量（#5 玻璃鈍化/鈍化 (PO) 厚度） |
23 年 12 月 |
| 表 I. 晶圓批次驗(yàn)收測(cè)試（2.金屬化厚度與 5.鈍化厚度） |