1 慢速或浮點(diǎn) CMOS 輸入的影響

CMOS 和 BiCMOS 系列都具有 CMOS 輸入結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)是一個(gè)逆變器，由一個(gè)到 VCC 的 p 溝道和一個(gè)到 GND 的 n 溝道組成，如 圖 1-1 所示。使用低電平輸入時(shí)，P 溝道晶體管導(dǎo)通，N 溝道關(guān)斷，導(dǎo)致電流從 V_CC 流出并將節(jié)點(diǎn)拉至高電平狀態(tài)。使用高電平輸入時(shí)，N 溝道晶體管導(dǎo)通，P 溝道關(guān)斷，電流流向 GND，將節(jié)點(diǎn)拉低。在這兩種情況下，都沒有電流從 V_CC 流向 GND。但是，當(dāng)從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)時(shí)，輸入超過閾值區(qū)域，導(dǎo)致 N 溝道和 P 溝道同時(shí)導(dǎo)通，從而在 V_CC 和 GND 之間產(chǎn)生電流路徑。此電流浪涌可能會(huì)造成損壞，具體取決于輸入處于閾值區(qū)域（0.8V 至 2V）的時(shí)間長(zhǎng)度。每個(gè)輸入的電源電流 (I_CC) 可升至幾毫安，峰值約為 1.5V V_I（見圖 2-1）。當(dāng)在數(shù)據(jù)表指定的輸入轉(zhuǎn)換時(shí)間限制（位于特定器件的建議運(yùn)行條件表中）內(nèi)切換狀態(tài)時(shí)，這不是問題。示例如 表 1-1 所示。