在本測試中，AMC0106M05 高側電源 (AVDD) 由 LMG2100R044 GaN-FET 自舉電源供電，這是 圖 3-4 中所示的默認配置。

圖 4-5 和 圖 4-6 顯示了在 3A 相電流時使用電流探頭測得的 PWM 開關相電壓 W。W 相電壓等于 AMC0106M05模擬接地 (AGND) 與數(shù)字接地 (DGND) 的共模電壓。當高側 GaN-FET 為硬開關時，從 0V 轉換到 48V 期間為 13V/ns 的較高壓擺率；當?shù)蛡?GaN-FET 為軟開關（零電壓開關）時，為 2.7V/ns 的較低壓擺率。有關 GaN-FET 開關特性的更多信息，請參閱 LMG2100R044數(shù)據(jù)表。

圖 4-7 顯示了 AMC0106M05 的 W 相電壓、相電流 W（使用電流探頭測量）和電源電壓 AVDD 的示波器圖。平均 W 相電流為 3A，峰-峰電流紋波為 0.4A_PP，它與伺服電機定子時間常數(shù)成函數(shù)關系。

在第一個測試中，施加了具有恒定相位（330 度）和電壓幅度的靜態(tài) 3 空間矢量 PWM。電壓幅度配置為強制實現(xiàn)恒定的電機電流。例如，W 相電流設置為 I_W = 0A 或 3A，而 U 和 V 相電流為 I_U = I_V = –0.5 * I_W。

為了研究 PWM 開關對 AMC0106M05 測量精度的影響，sinc³ 濾波器的轉換啟動在每個新 PWM 周期增加 60ns。PWM 頻率為 10kHz，相應的 PWM 周期為 100μs。第一個轉換的有效采樣點在第一個 PWM 周期開始 14μs 后啟動。對于第二個 PWM 周期，有效采樣點為 14.06μs。對于第 600 個 PWM 周期，有效采樣點為 50μs（中心與 PWM 對齊）。最后一個采取點位于第 1200 個 PWM 周期內，設置為 86μs。在最后一步中，1200 個結果疊加并繪制為單個 PWM 周期。

圖 4-8 顯示了 3A 相電流的結果。圖 4-9 顯示了 0A 相電流的結果。在這兩種情況下，OSR 均為 32。相電流繪制在左軸，相電壓繪制在右軸。

相電流為零時，在相位的 PWM 切換期間，對 AMC0106M05 輸出信號沒有明顯的影響。無論是 2.7V/ns 低壓擺率的 PWM 下降沿還是 13V/ns 高壓擺率的上升沿，都不會干擾相電流測量。這證實了 AMC0106M05 具有較高的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。

比較 AMC0106M05 相電流測量值與使用電流探頭獲得的測量值以驗證結果。兩個測量值在 圖 4-10 中疊加。請注意，在電流探頭測量（黑色跡線）中可以看到瞬態(tài)噪聲，但在 AMC0106M05 測量（紅色跡線）中未看到。

以 64 倍過采樣率重復該測試。正如預期的那樣，使用 64 倍過采樣時的測量噪聲顯著降低。即使采用這種高分辨率測量，也不會看到 PWM 切換會影響 AMC0106M05 測量精度。