對(duì)于此測(cè)試，使用了 圖 4-19 中所示的分立式自舉選項(xiàng)。通過(guò)移除 R14，可將默認(rèn)自舉電源從 AMC0106M05 AVDD 斷開(kāi)。分立式自舉電源由二極管 D1、自舉電阻器 R34=3? 和自舉電容器 C57=470pF 組成。在此特意為 C57 選擇了一個(gè)非常小的值來(lái)產(chǎn)生大自舉紋波電壓。測(cè)試的目的是評(píng)估 AVDD 電源電壓紋波如何影響 AMC0106M05 的測(cè)量精度。

圖 4-19 用于此測(cè)試的 AMC0106M06 AVDD 自舉配置

圖 4-20 顯示了 10kHz PWM 和 92.8% 占空比條件下 AVDD 自舉電源電壓的示波器圖。在此工作條件下，高側(cè) GaN-FET 的關(guān)斷時(shí)間僅為 7.2μs，與自舉電容器的充電時(shí)間相等。

使用 AMC0106M05 測(cè)得的相電流與使用電流探頭測(cè)得的相電流相同。在自舉充電期間無(wú)明顯的性能下降。由于可耐受高紋波電壓，因此可以使用更小的自舉電容器，更重要的是，以 100% 占空比可工作更長(zhǎng)時(shí)間。

圖 4-20 10kHz PWM 和 92.8% 占空比條件下的 W 相電壓、相電流 W 和 AMC0106M05 AVDD

圖 4-21 AMC0106M05 使用 OSR 32 在 3A 條件下進(jìn)行的測(cè)量與大 AVDD 紋波期間的電流探頭之間的關(guān)系