通過元件創(chuàng)新來優(yōu)化寬帶隙 FET 性能

碳化硅 (SiC) MOSFET 或氮化鎵 (GaN) FET 等寬帶隙 FET 不僅可以替代硅 MOSFET，而且效率更高。在與硅 MOSFET 相同的電壓電平下，寬帶隙 FET 具有極低甚至沒有反向恢復電荷 (Q_rr)，并具有較低的導通電阻，如圖 1 所示。

此外，寬帶隙 FET 的幾乎所有其他寄生效應（包括柵極電荷 (Q_g) 和輸出電容 (C_oss) 都比硅 MOSFET 弱很多，因此開關速度很快：轉換率超過 150V/ns，而超結硅 MOSFET 的轉換率小于 80V/ns。開關速度越快，電源開關的開通或關斷所需的時間就越短，開關損耗也更低。