數(shù)據(jù)表
UCC27201A-DIE
- 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)
高端/低端配置的 N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) - 最大引導(dǎo)電壓
- 最大 VDD 電壓
- 片載 RD 自舉二極管
- 針對(duì)高側(cè)和
低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓閉鎖
UCC27201A 是一款系列高頻 N 通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,此驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)自舉二極管和具有旨在實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性具有獨(dú)立輸入的
高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。 這可在半橋式、全橋式、兩開關(guān)正激式和有源鉗位正激式轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn) N 通道 MOSFET 控制。 低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的,并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了至 1ns 的匹配。 UCC27201A 基于廣泛使用的 UCC27201 驅(qū)動(dòng)器,但進(jìn)行了一些改進(jìn)。 為了提升嘈雜電源環(huán)境中的性能,UCC27201A 運(yùn)用了一種增強(qiáng)型 ESD 輸入結(jié)構(gòu),而且能夠在其 HS 引腳上耐受 -18V (最大值) 的電壓。
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* | 數(shù)據(jù)表 | 高效、高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 | 英語版 | PDF | HTML | 2012年 9月 19日 | |
應(yīng)用手冊(cè) | Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. | 2020年 5月 12日 | ||||
更多文獻(xiàn)資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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