ZHCSYP8 July 2025 TPS543021
ADVANCE INFORMATION
當(dāng)?shù)蛡?cè) MOSFET 開(kāi)啟時(shí),傳導(dǎo)電流由內(nèi)部電路監(jiān)控。在正常工作期間,低側(cè) MOSFET 向負(fù)載輸送電流。在每個(gè)時(shí)鐘周期結(jié)束時(shí),都會(huì)將低側(cè) MOSFET 拉電流與內(nèi)部設(shè)置的低側(cè)拉電流限值進(jìn)行比較。如果電感器谷值電流超出低側(cè)拉電流限制 ILS(OC),高側(cè) MOSFET 不會(huì)開(kāi)啟,并且低側(cè) MOSFET 會(huì)在下一個(gè)周期保持開(kāi)啟狀態(tài)。如果電感器谷值電流在一個(gè)周期開(kāi)始時(shí)低于低側(cè)拉電流限值,高側(cè) MOSFET 會(huì)再次開(kāi)啟。如果低側(cè)開(kāi)關(guān)的電流連續(xù) 512 個(gè)周期觸發(fā) ILS(OC) 并且激活了斷續(xù)電流保護(hù)模式,器件將在 40ms 的斷續(xù)時(shí)間后關(guān)斷并重新啟動(dòng)。間斷模式有助于在嚴(yán)重過(guò)流情況下降低器件功耗。