ZHCSYP8 July 2025 TPS543021
ADVANCE INFORMATION
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ(VIN) | VIN 靜態(tài)電流 | 非開關(guān)，VIN = 12V，VEN = 5V，VFB = 1V | 28 | μA | ||
| ISD(VIN) | VIN 關(guān)斷電源電流 | VIN = 12V，VEN = 0V | 2 | μA | ||
| UVLO | ||||||
| VUVLO(R) | VIN UVLO 上升閾值 | VIN 上升 | 3.8 | 4.1 | 4.4 | V |
| VUVLO(F) | VIN UVLO 下降閾值 | VIN 下降 | 3.3 | 3.6 | 3.9 | V |
| VUVLO(H) | VIN UVLO 遲滯 | 400 | 480 | 560 | mV | |
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN 電壓上升閾值 | EN 上升，啟用開關(guān) | 1.23 | 1.28 | V | |
| VEN(F) | EN 電壓下降閾值 | EN 下降，禁用開關(guān) | 1.1 | 1.16 | V | |
| IEN(P) | EN 引腳拉電流 | VEN = 1.0V | 0.7 | μA | ||
| IEN(H) | EN 引腳拉電流遲滯 | VEN = 1.5V | 1.55 | μA | ||
| 基準(zhǔn)電壓 | ||||||
| VFB | FB 電壓 | TJ = 25°C | 590 | 596 | 602 | V |
| VFB | FB 電壓 | TJ = -40°C 至 150°C | 582 | 596 | 610 | V |
| IFB(LKG) | FB 輸入泄漏電流 | VIN = 12V，VFB = 0.6V | 0.15 | μA | ||
| 開關(guān)頻率 | ||||||
| fSW | 中心開關(guān)頻率、CCM 運(yùn)行 | VIN = 12V | 295 | 400 | 505 | kHz |
| FDither(1) | 開關(guān)頻率抖動范圍 | 中心頻率上的頻率抖動 | ±6% | |||
| 功率級 | ||||||
| RDSON(HS) | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VBOOT-SW = 5V | 70 | mΩ | ||
| RDSON(LS) | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VIN = 12V | 35 | mΩ | ||
| tON(min)(1) | 最小 ON 脈沖寬度 | VIN = 12V，IOUT = 1A | 70 | ns | ||
| tON(max)(1) | 最大 ON 脈沖寬度 | VIN = 5V | 62 | μs | ||
| 電流限值和斷續(xù) | ||||||
| IHS(OC) | 高側(cè)峰值電流限值 | HS MOSFET 上的峰值電流限值 | 4 | 5 | 6 | A |
| ILS(OC) | 低側(cè)谷值電流限值 | LS MOSFET 上的谷值電流限制 | 3.1 | 4 | 5.5 | A |
| IPK_MIN(1) | 最小峰值電感器電流 | 0.75 | A | |||
| tOC_HICCUP(1) | 電流限值斷續(xù)突發(fā)之間的時間 |
40 | ms | |||
| 輸出 OVP | ||||||
| VOV | 過壓保護(hù)（OVP）閾值電壓 | VFB 上升 | 108 | % | ||
| VOV_HYS | 過壓保護(hù) (OVP) 磁滯 | 4 | % | |||
| STARTUP | ||||||
| tSS | 內(nèi)部固定軟啟動時間 | 從目標(biāo) VOUT 的 10% 到 90% | 5 | ms | ||
| 熱關(guān)斷 | ||||||
| TJ(SD)(1) | 熱關(guān)斷閾值 | 160 | °C | |||
| TJ(HYS)(1) | 熱關(guān)斷遲滯 | 10 | °C | |||
| tOT_HICCUP(1) | 過溫斷續(xù) 突發(fā)之間的時間 |
80 | ms | |||